欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(2)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展

郝建伟 , 查钢强 , 介万奇

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2011.06.018

简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程.以Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响.以此为基础,综述了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势.

关键词: Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 , 量子结构 , 激子效应 , 量子尺寸效应

用分数维空间方法研究量子阱中激子效应对三次谐波产生的影响

于凤梅 , 李伟 , 郭康贤

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.04.015

运用分数维空间方法理论研究了GaAs/AlGaAs无限深和有限深方形量子阱中激子效应对三次谐波产生的影响.利用分数维空间模型获得波函数和束缚能级为空间维度的函数,而空间维度数是阱宽的函数.无限深方阱的维度数随着阱宽的减小从三维极限过渡到二维;而在有限深阱中,当维度数达到一个极值后,维度数随阱宽的减小而增大.采用密度矩阵和迭代法导出三次谐波的表达式.数值结果表明,考虑激子效应的三次谐波系数比只考虑电子状态的系数增大40%左右,并且三次谐波系数大小依赖于激子的受限程度.结果还表明在弛豫率较小情况下可以获得较大的三次谐波系数.

关键词: 非线性光学 , 三次谐波 , 分数维空间 , 激子效应 , 量子阱

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词