刘桂新
,
金宗哲
,
王廷籍
材料研究学报
本文采用热CVD 方法,在ZrB_2-SiC 复合陶瓷基体上制备CVD·SiC-C 梯度涂层。采用XRD,SEM,及X 射线应力分析方法,研究了CVD·SiC-C 梯度涂层的相组成、显微结构、残余应力及弯曲强度等性能。结果表明,CVD·SiC-C 梯度涂层可以缓解SiC 与ZrB_2基体间的热应力及界面应力,涂层中的残余应力得到明显缓解;高温退火处理对CVD·SiC-C 涂层中的残余应力亦有缓解作用;梯度涂层显著改善了基材的弯曲强度。
关键词:
热化学气相沉积
,
gradient coating
,
residual stress
,
surface modification
李世鸿
,
张永平
,
李丽英
新型炭材料
doi:10.1016/S1872-5805(11)60090-5
利用热化学气相沉积法在负载不同厚度催化剂的硅纳米丝(SiNW)表面生长碳纳米管(CNTs),探讨了生长条件对所合成SiNW-CNT的结构和场发射特性的影响.这种类似树状的三维结构具有较高碳纳米管表面密度及降低的电场筛除效应等潜在优势.使用拉曼光谱( Raman)、电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能量扩散分光仪(EDS)分析了碳纳米管的结构性质,并在高真空下施加电场测得碳纳米管的场发射特性.结果表明:随硅纳米丝上负载催化剂镍膜厚度的变化,所合成碳纳米管的表面特性、结晶结构及功函数改变,导致电子发射难易程度的改变,进一步影响碳纳米管的场发射特性.
关键词:
热化学气相沉积
,
硅纳米丝
,
碳纳米管
,
场发射
刘华平
,
程国安
,
赵勇
,
郑瑞廷
,
梁昌林
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.025
本文利用热化学气相沉积法(TCVD),系统地研究了NH3预处理对硅基底上沉积的催化剂铁膜的结构及所制备的碳纳米管形态的影响.研究结果表明,利用氨气对硅基底上的催化剂铁膜进行适当的预处理不仅可以将催化剂颗粒细化,还可以使催化剂在碳纳米管的制备过程中保持较高的催化活性,促进分解出的活性碳原子在催化剂中扩散和析出,增强碳纳米管的成核和生长,从而合成出纯度较高、定向性好的碳纳米管阵列.
关键词:
Fe薄膜
,
热化学气相沉积
,
碳纳米管阵列
,
催化剂
李刚
,
余宗胜
,
徐先锋
材料热处理学报
用热化学气相沉积(CVD)技术,用乙炔为碳源,氮气为载气,氢气为还原气体,氨气为刻蚀气体,在单晶硅上制备出定向竹节型结构碳纳米管薄膜.用透射电镜(TEM),扫描电镜(SEM)的X衍射能量色散能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)分析碳纳米管的精细结构,成分和晶型及结晶度,并对制备的碳纳米管的生长机制进行分析和推测.结果表明:在生长碳纳米管的过程中起催化作用的是金属镍颗粒而不是碳化镍,催化剂颗粒呈不同的形貌存在碳纳米管顶部,并遵循顶端生长方式.
关键词:
热化学气相沉积
,
碳纳米管
,
生长机制
,
竹节型
陈彩云
,
于晓华
,
戴丹
,
江南
,
詹肇麟
,
刘忠
,
刘建雄
材料热处理学报
采用化学气相沉积法,以SiO2/Si为衬底、镍膜为催化层,研究不同催化层厚度对石墨烯生长的影响.选择拉曼光谱,透射电子显微镜等手段对石墨烯的层数和质量进行表征.结果表明,随着Ni膜厚度的增加,石墨烯的缺陷减小,而且层数也减少,当Ni膜厚度为300 nm时,可以在SiOJSi基板上获得高质量的单层石墨烯.
关键词:
石墨烯
,
SiO2/Si
,
镍膜
,
热化学气相沉积
李明华
,
张海燕
,
魏爱香
,
陈易明
,
王力
,
朱清锋
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.024
采用阳极氧化法在草酸溶液中制备了孔径约为100nm的多孔氧化铝(AAO)模板.利用此模板在不负载任何催化剂的条件下,利用热CVD装置制备出片状碳纳米薄膜,并对此片状薄膜做了SEM,TEM显微观察和EDS能谱分析,对其形成条件和生长机理等方面做了探讨分析,为在氧化铝模板上生长包括管状、片状、棒状等形状的碳纳米材料提供了一定的借鉴意义.
关键词:
多孔氧化铝模板
,
热化学气相沉积
,
片状碳纳米材料
