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单晶炉导流筒、热屏及炭毡对单晶硅生长影响的优化模拟

苏文佳 , 左然 ,

人工晶体学报

在CZ法生长太阳能级单晶硅中,单晶炉的导流筒、热屏和炭毡对晶体生长有很大影响.通过对上述三个部件进行改进优化,并通过数值模拟对优化前后晶体和熔体的热场、热屏外表面与石英坩埚内壁面之间的氩气流场以及晶体中的热应力进行分析,得出以下结论:石墨导流筒的引入减少了炉体上部的氩气流动涡胞,进而减少了SiO在单晶炉上部的沉积;优化后的热屏减少了加热器对晶体的烘烤,使结晶速率加快;优化后的侧壁炭毡阻止了加热器向上部的热损失.优化后在加热器功耗不变时,结晶速率至少可提高35%,而不增加宏观位错的发生概率.

关键词: 单晶硅 , 数值模拟 , 热屏 , 炭毡

热屏优化对大直径单晶硅生长影响的数值模拟

滕冉 , 戴小林 , 徐文婷 , 肖清华 , 周旗钢

人工晶体学报

通过对28英寸热场生长300 mm硅单晶过程中结晶速率、固液界面形状、晶体中热应力及晶体中氧含量的数值计算提出了在该热场条件下热屏的优化方案.数值计算结果表明:对热屏底端与晶体表面和熔体自由液面的距离以及热屏材料(优化前热屏使用单一石墨材料,优化后采用辐射率较高的内壁材料结合反射率较高的外壁材料组成复合式热屏)的优化可以减少主加热器对晶体的热辐射使得固液界面更加平坦,藉此增加结晶速率,减小晶体内热应力和熔体中氧含量.

关键词: 硅单晶 , 数值模拟 , 热屏 , 固液界面

热屏和后继加热器对生长φ300mm硅单晶热场影响的数值分析

高宇 , 周旗钢 , 戴小林 , 肖清华

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.026

本文采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长直径300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟.后继加热器通过补充晶体径向的热散失,使得沿生长界面径向的由熔体向晶体的热输运实现平衡,使晶体生长界面更加平坦.随着热屏材料热辐射率的降低,晶体生长界面趋于平坦,生长界面上方热应力水平也随着热屏材料辐射率的减小而下降,使用内层高辐射率材料、外层低辐射率材料的复合式热屏结构进一步降低了晶体生长界面中心高度.

关键词: 模拟 , 直径300mm硅单晶 , 热屏 , 后继加热器

热屏结构对泡生法蓝宝石单晶炉功率影响研究

杨轶涵 , 李进 , 王长春 , 高忙忙 , 康少付

人工晶体学报

蓝宝石晶体因优异的综合性能被广泛用于航空航天等高性能要求领域.泡生法是目前生产大直径蓝宝石单晶的主要方法,热场对生产工艺、产品质量和单晶炉功率具有重要影响;并将影响生产成本.本文对氧化锆及钼金属组合式热屏中氧化锆材料内置、外置及材料不同组合方式对泡生法蓝宝石单晶炉功率的影响进行研究,得到合理的热场结构;并与实际生产结果进行验证.结果表明:相比于传统的15层钼保温结构,加入氧化锆保温层会明显降低单晶炉能耗,其中氧化锆内置的热场结构对单晶炉能耗降低影响更为明显;随着氧化锆层由0增加至15层,单晶炉能耗显著降低,相比传统15层钼保温结构,15层氧化锆保温结构炉体功率降低了38%.

关键词: 蓝宝石 , 泡生法 , 热屏 , 氧化锆 , 钼金属

热屏结构对大直径单晶硅生长影响的数值分析

滕冉 , 常青 , 吴志强 , 汪丽都 , 戴小林 , 肖清华 , 姜舰 , 张果虎 , 周旗钢

人工晶体学报

采用有限元法计算了300 mm硅单晶生长过程中,热屏结构对炉体内温度分布、熔体中流场以及晶体内热应力的影响.计算所用的模型涵盖了晶体生长过程中的主要物理现象,包括结晶潜热的释放、结晶前沿的形变、熔体中热和质的传输以及氧的输运等.计算结果表明使用直壁式热屏时,晶体-熔体界面变得更加平坦同时结晶前沿处的热应力大幅度下降,减少了发生宏观位错的可能性,此外熔体中的氧含量显著降低.

关键词: 单晶硅 , 有限元法 , 热屏

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