余宏
,
谢泉
,
肖清泉
,
陈茜
功能材料
采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜.研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响.首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1～10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h.通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(F...
关键词:
Mg2Si薄膜
,
热蒸发
,
退火时间
,
择优生长
白云帆
,
张晨阳
,
刘杨
,
龚晓丹
,
任山
材料导报
ZnO一维纳米材料由于在压电、光电等方面的优良性质,正引起广泛的关注.介绍了目前不用催化剂合成ZnO一维纳米结构的几种方法,其中包括热蒸发方法、金属-有机物化学气相沉积方法(MOCVD)和自组装生长等,同时对合成的一维ZnO纳米结构进行了分析,简单地比较了这几种制备方法的优劣.
关键词:
ZnO一维纳米结构
,
热蒸发
,
化学气相沉积
,
自组装
徐平川
,
曾体贤
,
王志红
人工晶体学报
采用真空热蒸发法技术制备CdSe薄膜,通过XRD、SEM、Hall效应和分光光度计测试了薄膜的结构、表面形貌、I-V特性和光学透过率.结果表明:CdSe薄膜(100)晶面的面间距为0.369 nm,晶粒大小约为10.2 nm,薄膜表面晶粒分布较为均匀；CdSe薄膜与锡和银的肖特基势垒高度分别为0.7...
关键词:
CdSe薄膜
,
热蒸发
,
接触势垒
,
带隙能量
,
Urbach能量
张凤
,
方新心
,
成霁
,
唐逢杰
,
金庆辉
,
赵建龙
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.增刊(Ⅱ).037
石墨烯由于其独特的电学特性受到关注,工艺的研究促使石墨烯材料的实际应用。着重于石墨烯场效应管关键工艺(目标衬底的预处理、石墨烯的转移、金属沉积、石墨烯刻蚀与退火)的优化。通过实验发现,衬底上硅醇基的密度以及碳氢化合物分子的大小对器件的性能有很大的影响；与热蒸发方式相比,溅射会对石墨烯引入更多的缺陷,...
关键词:
石墨烯
,
溅射
,
热蒸发
,
石墨烯转移
,
等离子体刻蚀
孙杰
,
高斐
,
权乃承
,
晏春愉
,
张佳雯
,
郝培风
,
刘立慧
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2009.04.022
氧化亚铜(Cu2O)薄膜在太阳能电池及其它光电器件上有重要应用,它具有无毒、制备成本低、材料广泛易得等优点.制备Cu2O薄膜的方法主要有热蒸发、溅射、化学气相沉积和电化学沉积等,本文对Cu2O薄膜的制备方法进行了综述与展望.
关键词:
氧化亚铜薄膜
,
热蒸发
,
溅射
,
化学气相沉积
康海涛
,
李健
,
柴燕华
材料科学与工程学报
热蒸发制备Zn掺杂SnS2薄膜,研究不同Zn含量及热处理条件对薄膜的物相结构、表面形貌和光电性能的影响.实验给出用Sn:S=1∶1.08(wt)混合粉末沉积的薄膜,经380℃、15min热处理后得到简单正交晶系的SnS2薄膜;9(wt％)掺Zn后的薄膜热处理条件为370℃、20min.Sn、S和Zn...
关键词:
热蒸发
,
SnS2薄膜
,
Zn掺杂
,
热处理
,
特性
邵秋萍
,
张华
,
门传玲
,
田子傲
,
安正华
材料导报
采用热蒸发法在50℃、100℃、150℃这3种不同的基底温度下沉积CdS薄膜,且对150℃生长的CdS薄膜取样进行退火处理30 min,并对所有样品的微观结构和光学特性进行了分析.结果表明,不同基底温度下制备的CdS薄膜均具有(002)择优取向生长的特征,且随着基底温度的升高,(002)特征衍射峰强...
关键词:
CdS薄膜
,
热蒸发
,
微观结构
,
光学特性
原宏宇
,
苑梦尧
,
刘静
,
伊福廷
,
吴忠华
,
王焕华
,
张杰
材料科学与工程学报
作为一种直接带隙p型半导体材料,Cu2O在很多工业领域都有良好的应用前景,而Cu2O纳米棒因其一维纳米几何而具有更诱人的性能.然而缺少低成本的制备方式限制了Cu2O纳米棒的工业应用.为了解决这个问题,我们探索了热蒸发掠射角沉积加后退火处理的制备方法,成功获得了取向一致的多晶Cu2O纳米棒阵列薄膜,为...
关键词:
Cu2O
,
掠角沉积
,
热蒸发
,
后退火
,
纳米棒
