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倒筒式射频溅射自偏压对Ba0.65Sr0.35TiO3热释电薄膜结构及性能的影响

刘祚麟 , 吴传贵 , 张万里 , 李言荣

功能材料

采用倒筒式射频溅射方法,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3(简称BST)薄膜.研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响.在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高度的(100)择优取向,且结晶性好,表面平整,耐压能力强.在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10-7C/(cm2·K).红外单元探测器在30Hz下的探测率D*为4.93×107cm*Hz1/2/W.研究结果表明,利用倒筒式射频溅射方法,适当提高自偏压,可以制备出热释电性能优良的BST薄膜.

关键词: BST , 倒筒式 , 射频溅射 , 热释电系数 , 探测率

边界条件对温度梯度铁电薄膜热释电性质的影响

陈辉 , 冮铁臣 , 成泰民 , 陈思群 , 李青云

材料导报

在平均场近似的理论框架下,采用横场伊辛模型研究了不同边界条件(固定边界条件和自由边界条件)对温度梯度铁电薄膜热释电性质的影响.引入一个分布函数来描述不同边界条件下赝自旋相互作用系数的变化.研究表明,薄膜内部的温度梯度分布和薄膜所处的边界条件对其极化分布和热释电系数都有很大的影响.温度梯度铁电薄膜的热释电曲线中出现了2个热释电峰,其中自由边界条件下的薄膜所对应的第2个热释电峰比无温度梯度的铁电薄膜和固定边界条件下的温度梯度铁电薄膜的热释电峰都要高出许多.

关键词: 边界条件 , 温度梯度 , 自发极化 , 热释电系数

离子束增强沉积制备钽酸锂薄膜电性能分析

包勇 , 张德银

材料科学与工程学报

为提升钽酸锂薄膜的性能,提出一种离子束增强沉积法制备钽酸锂薄膜的新工艺.分别采用这种新工艺和溶胶-凝胶法制备了钽酸锂薄膜,并利用阻抗分析仪和铁电材料分析仪对制备样品进行了介电性能、铁电特性、漏电电流和热释电特性分析.实验结果表明,采用离子束增强沉积制备的钽酸锂样品经550℃退火后,介电常数为39.44,介电损耗为0.045;测试电场强度为400kV/cm时,漏电流为4.76×10-8 A/cm2,击穿场强为680kV/cm,热释电系数达到1.82×10-4/m2K.相比之下,采用溶胶-凝胶方法制备的钽酸锂薄膜样品,其介电常数、介电损耗、漏电流都更大,击穿场强和热释电系数更低.从电性能参数比较可以看出,离子束增强沉积法比溶胶-凝胶法更适合用于制备钽酸锂薄膜.

关键词: 离子束增强沉积 , 钽酸锂 , 溶胶-凝胶 , 介电常数 , 铁电特性 , 热释电系数

Pb(Zrx Ti1-x)O3成分梯度铁电薄膜的结构及性能

李建康 , 姚熹

复合材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2005.06.009

采用Sol-Gel方法,通过快速热处理,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Pb(Zr,Ti)O3成分梯度薄膜.用俄歇微探针能谱仪(AES)对制备的上梯度薄膜进行了成分深度分析,证实其成分梯度的存在.XRD分析表明,制备的梯度薄膜为四方结构和三方结构的复合结构,但其晶面存在一定的结构畸变.介电温谱测试表明,随着温度的升高,梯度薄膜出现一个铁电-铁电相变点和两个居里点,同时出现一定的频率弥散现象.不同偏压下电滞回线的测试表明,梯度薄膜表现出良好的铁电性质.热释电性能测试表明,梯度薄膜的热释电系数随着温度的升高逐渐增加,并且其热释电系数比每个单元的热释电系数大.

关键词: 成分梯度薄膜 , 锆钛酸铅 , 介电温谱 , 热释电系数

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