张小玲
,
张健
,
谢雪松
,
吕长志
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.06.005
本文建立了一种新的IGBT三维热模型并运用基于有限元法的分析软件ANSYS软件对其热分布进行了模拟分析.结果表明由于单元的热耦合作用,原包间距在10um时比较合适；在相同的功率(P=1W)条件下,材料热导率随温度的变化导致器件的温度升高了4.8K；当焊料层存在空洞的情况下,器件的温度分布发生了明显的变化,比没有空洞情况下器件的上表面温度上升了24.9K.
关键词:
IGBT热模型
,
热分布
,
仿真
,
焊料层
