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于洪国 , 武壮文 , 王继荣 , 张海涛
功能材料
讨论了如何在水平砷化镓单晶生长过程中进行位错控制,通过控制熔区的长短,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖.采取以上措施可以在一定程度上降低位错.
关键词: 水平砷化镓 , 位错密度 , 熔区 , 温度梯度
