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Effect of Bismuth on Intermetallic Compound Growth in Lead Free Solder/Cu Microelectronic Interconnect

材料科学技术（英文）

关键词: 金属间化合物 , 生长动力学 , 无铅焊锡 , 铜互连 , 微电子 , IMC , 生长过程 , 焊料合金

Nucleation and Growth Kinetics of MgO in Molten Steel

材料科学技术（英文）

关键词: 生长动力学 , 氧化镁 , 成核 , Ostwald熟化 , 碰撞模式 , 钢液 , Stokes , 实验数据

纳米SiO2复合对铝合金表面微弧氧化层生长动力学的影响

马世宁 , 索相波 , 邱骥 , 朱海燕

航空材料学报 doi:10.3969/j.isan.1005-5053.2012.1.014

通过在微弧氧化电解液中添加纳米SiO2颗粒配制纳米电解液,在铝合金表面制备了纳米复合微弧氧化层,考察了恒电压和恒电流两种模式下纳米SiO2复合对微弧氧化层生长动力学的影响.结果表明,恒电压模式下,纳米SiO2复合大幅度提高了生长电流和微弧氧化层生长速率；恒电流模式下,纳米SiO2复合提高了微弧氧化层生长速率,电流效率提高.纳米SiO2颗粒在纳米复合微弧氧化层中掺杂,形成杂质能级,并且降低了微弧氧化层材料的禁带宽度,促进了微弧氧化电击穿过程,是纳米SiO2复合促进微弧氧化层生长的主要原因.

关键词: 铝合金 , 微弧氧化 , 纳米复合 , 生长动力学 , 掺杂

SiCf/Ti-43Al-9V复合材料的界面反应

代志强 , 杨延清 , 张伟 , 赵光明 , 罗贤 , 黄斌

稀有金属材料与工程

利用纤维涂层法和真空热压工艺制备SiC纤维增强γ-TiAl金属间化合物(Ti-43Al-9V)复合材料,采用扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)仪等研究复合材料的界面反应产物和界面反应产物的生长动力学.结果发现,SiCf/Ti-43A1-9V复合材料的界面反应生成了TiC、Ti2AlC和Ti5Si3,分三层分布.从SiC纤维到Ti-43Al-9V基体,界面反应产物序列为:TiC/Ti2AlC/Ti5 Si3 +Ti2AlC(颗粒).界面反应产物的生长受扩散控制并遵循抛物线生长规律,其生长激活能Q和指前因子k0分别为190 kJ/mol和2.5×10-5 m·s-1/2.与其它Ti合金基的复合材料相比,γ-TiAl基复合材料的界面热稳定性更好.

关键词: SiC纤维 , γ-TiAl , 复合材料 , 界面反应 , 生长动力学

流动对ZTS晶体(100)面台阶生长动力学影响的研究

宋森 , 程旻 , 李明伟 , 宋洁 , 周川

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.16.032

通过利用光学显微镜对ZTS晶体(100)面的台阶推移过程进行实时观察,对不同溶液供应速度及不同过饱和度下的台阶生长动力学进行了研究.结果表明,随着溶液供应速度S的增大,台阶平均推移速率先增大后减小.溶液供应速度S≈1.2rnL/min时,台阶平均推移速率达到最大.而在静止的生长溶液中,台阶平均推移速率随着过饱和度σ的增大呈非线性增大,同时确定了生长死区σd和台阶平均推移速率急剧增大时的临界过饱和度值σ*,并计算了不同过饱和度阶段的台阶动力学系数和台阶活化能.

关键词: ZTS , 溶液供应速度 , 台阶推移速率 , 生长动力学 , 实时观测

SiC纤维增强Ti600复合材料界面研究

梅运旺 , 杨延清 , 罗贤 , 李健康 , 马志军 , 陈彦

稀有金属材料与工程

通过纤维涂层法(MCF)、结合热等静压(HIP)工艺制备了SiCf/Ti600复合材料,经不同条件真空热暴露试验后,结合SEM、EDS、XRD等分析技术对界面反应动力学和反应产物相形成的反应序列进行初步研究.结果表明,反应元素C、Si、Ti等出现浓度起伏,合金元素Al并没有显著扩散进入界面反应产物层,而是在界面反应前沿堆积,其界面反应产物被确认为:TiC、Ti5Si3和Ti3SiC2,界面反应产物的生长受扩散控制且遵循抛物线生长规律,其生长激活能Qk及指数系数Ko分别为266.46 kJ·mol-1.37x10-3m·s-1/3.

关键词: SiC/Ti600 , 界面反应 , 生长动力学 , 生长激活能

CeO2改性渗铝层的生长动力学研究

文九巴 , 杨柳松 , 张金民 , 朱利敏 , 李全安

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2007.z1.042

本文对钢试样进行复合电镀Ni+CeO2并包埋渗铝.在粉末渗铝过程中保温不同的时间,获得了CeO2改性的渗层.利用SEM和EDS对渗层组织与成份进行分析,通过对渗层厚度的测量,得出合金层生长动力学曲线,建立了改性渗层的生长动力学方程.结果表明,在改性的渗层中,CeO2在富集区的含量达到了5.21wt%.通过对动力学曲线的研究,为控制和预测渗层厚度、制定工艺提供了理论依据.

关键词: 粉末渗铝 , 复合电镀 , CeO2改性 , 生长动力学

一个实用的生产用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料Turbo-Disc MOCVD生长模型

王浩 , 廖常俊 , 范广涵 , 刘颂豪 , 郑树文 , 李述体 , 郭志友 , 孙慧卿 , 陈贵楚 , 陈炼辉 , 吴文光 , 李华兵

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.018

在MOCVD质量控制生长模式下,通过分析Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程,建立了一个实用的生长模型.此模型是基于分子动力学、化学反应热力学理论分析之上的.针对Turbo-Disc 反应体系,分析了Turbo-Disc 的传热以及质量传送模式后, 建立了Turbo-Disc的生长模型.在此模型中建立了输入反应室的参数(IPs)和边界层的生长参数的关系.在对组分匹配的GaInP/GaAs 三组分生长体系进行分析时,发现此模型是非常有效的,理论计算的结果与实验得到的结果非常吻合.应用此模型在实际生产中可以迅速地得到匹配的多组分外延层.

关键词: MOCVD , Turbo-Disc , 生长动力学 , GaInP

Ni-Al扩散界面及反应层生长动力学研究

肖强 , 李传军 , 袁兆静 , 余建波 , 钟云波 , 任忠鸣

上海金属

采用电镀法制备Ni-Al扩散偶,研究了Ni-Al扩散界面处中间相的形成及其生长动力学.结果表明,扩散偶界面处形成的中间相为NiAl3相和Ni2Al3相.Ni2Al3相的生长符合抛物线长大规律,受体扩散控制,NiAl3相的生长受晶界扩散和体扩散的控制.Ni2Al3的生长激活能Q=(155.6±4.05) kJ/mol,生长常数k0为5.23×10-4m2·s-1.

关键词: Ni-Al , 扩散偶 , 电镀 , 生长动力学

Cu-In系中Cu11In9相的生长动力学研究

谭艳芳 , 潘勇 , 欧铜钢 , 周兆锋

材料导报

采用电沉积方法在Cu基底上制备一层In薄膜得到Cu-In扩散偶.将扩散偶在T=453K、503K和553K时分别进行t=20min、40min、60min和90 min的热处理.实验结果表明,在Cu-In扩散偶界面形成了不同厚度的金属间化合物层Cu11In9相;将Cu11In9相的厚度与热处理时间的关系接经验公式进行拟合,得到比例常数k和生长速率时间指数n;k和n值的大小表明,金属间化合物Cu11In9相层的生长速率受扩散和固态铜在液态铟中的溶解共同控制.

关键词: 金属间化合物 , Cu-In预制层 , 生长动力学 , Cu11In9相 , 扩散