宫波
,
魏景谦
,
王继扬
,
刘耀岗
,
胡晓波
,
管庆才
,
蒋民华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.01.006
本文详细报道了采用熔体提拉法生长高质量三硼酸氧钙钇[YCa4O(BO3)3,YCOB]和掺钕三硼酸氧钙钇[Nd:YCa4O(BO3)3,Nd:YCOB]的结果.详细讨论了各种因素对晶体生长的影响.认为籽晶取向和温度梯度是影响该晶体生长的主要因素;其它因素,如提拉速度、转速及熔体准备过程对晶体生长也有重要作用.综合考虑各种因素后生长了高质量的YCOB和Nd:YCOB晶体.典型尺寸为20×50mm.
关键词:
非线性光学晶体
,
三硼酸氧钙钇
,
掺钕三硼酸氧钙钇
,
引上法晶体生长
,
生长参数
姜春生
,
刘政
,
郭世斌
,
唐伟忠
,
吕反修
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2010.2.010
提出了沉积温度突变时黑色缺陷形成的孪晶机制模型.这一模型提出的基本假设为:沉积温度改变时,金刚石膜的表面上产生贯穿型的孪晶,孪晶以及原来的晶粒的各晶面均将按α2d所规定的生长速率扩张,在生长时相邻晶粒的晶界处形成了一种形如"峡谷"状的、相邻晶面夹角过小的局部环境,后者将导致活性气体扩散的过程难于进行,从而形成黑色缺陷.在此假设的基础上,利用水平集方法对此模型进行了二维的模拟,并通过实验进行了验证.模拟及实验的结果表明,在金刚石膜沉积的过程中,沉积温度的突变将通过在众多金刚石晶粒的表面诱发产生孪晶,显著提高金刚石膜中黑色缺陷的形成几率.
关键词:
金刚石膜
,
黑色缺陷
,
水平集方法
,
生长参数
陈龙
,
桑文斌
,
闵嘉华
,
郭昀
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.023
本文通过CZ法生长钼酸铅单晶,讨论了温度梯度、拉速、转速等生长参数对晶体质量的影响,分析了晶体开裂、包裹物等宏观缺陷以及位错等微观缺陷的形成机理,并从晶体形态、包裹体和位错密度变化方面探讨了晶体生长参数与晶体缺陷之间的内在关系,从而优化温度梯度等生长参数.温度梯度为20～25℃/cm,晶体转速为28r/min,拉速为1.6mm/h时,生长出的晶体形态完整,无开裂现象,晶体中无气泡包裹体,位错密度明显减小,晶体尺寸达φ40mm×70mm,无散射颗粒,在波长0.42～5.5μm范围内,平均透光率为72.6%.
关键词:
钼酸铅晶体
,
提拉法
,
生长参数
,
晶体缺陷
姜春生
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李晓静
,
刘政
,
唐伟忠
,
吕反修
功能材料
多晶金刚石膜中的黑色缺陷是影响材料光学、电学性能的一种重要缺陷.利用水平集方法对黑色缺陷的形成过程进行了模拟.模拟的基本假设为:黑色缺陷形成的基本条件为相邻晶粒间的晶界环境使活性气体扩散的过程难以进行,形成了一种形如"峡谷"状的、相邻晶面夹角＜30°的局部环境.金刚石膜的生长参数α2d值由1.3改变为1.5,在其晶粒表面{11}面上形成孪晶.孪晶的长大促进了黑色缺陷的形成.
关键词:
金刚石膜
,
黑色缺陷
,
水平集方法
,
生长参数
介万奇
材料研究学报
在Cd—Te相图的基础上引出CdTe-Cd相图并定义其主要参数,讨论了富Cd的CdTe液体在结晶过程中的分凝特性及其生长条件对晶体中Te固溶量的影响,进而确定维持平面生长界面所需的最小温度梯度.
关键词:
碲化镉
,
null
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null
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,
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