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Lateral Growth Rate of Cells in Melt

钢铁研究学报(英文版)

关键词: 生长速度 , 熔体 , 激光共聚焦扫描 , 细胞 , 生长过程 , 凝固过程 , 温度梯度 , 激光显微镜

AZ31B镁合金微弧氧化电解液温度对膜组织与性能的影响

翟彦博 , 陈红兵 , 马秀腾

材料保护

电解液温度是影响镁合金微孤氧化膜形成及质量的关键因素之一,过去对此鲜有系统研究.为此,对比研究了20,40,60℃3种电解液温度对AZ31B镁合金微弧氧化膜的生长速度、槽压、显微硬度、耐蚀性和微观组织的影响.结果显示,较高的电解液温度可以提高氧化膜的生长速度,但会导致膜层中的放电通道增大,使其致密性变差,从而降低了膜层的显微硬度与耐蚀性.

关键词: 微弧氧化 , AZ31B镁合金 , 电解液温度 , 生长速度 , 微观组织 , 硬度 , 耐蚀性

用不同粒度的籽晶生长优质宝石级金刚石单晶

臧传义 , 马红安 , 肖宏宇 , 田宇 , 贾晓鹏

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.034

利用温度梯度法生长宝石级金刚石单晶过程中,由于籽晶接收碳源能力有限,单一晶种将很难完全吸收扩散下来的碳源,因而导致籽晶的粒度对晶体生长速度和品质都会产生很大影响.随着籽晶粒度的增大,晶体的生长速度增幅非常明显,但不是粒度越大越好,存在临界粒度,超过临界粒度,优质单晶就很难生长.以NiMnCo触媒为例,籽晶粒度由0.5mm增加到2.0mm后,晶体的生长速度可由1.0mg/h提高到3.0mg/h,但籽晶粒度超过2mm后,晶体内部包裹体大幅度增加.

关键词: 金刚石 , 温度梯度法 , 籽晶 , 临界粒度 , 生长速度

Al-7Si-0.36Mg合金定向凝固一次枝晶臂间距实验和模拟

陈瑞 , 许庆彦 , 柳百成

中国有色金属学报

通过Al-7Si-0.36Mg合金定向凝固实验和元胞自动机模型，开展定向凝固枝晶形貌演化和一次枝晶臂间距选择过程的实验和模拟。结果表明：在给定的凝固条件下，一次枝晶臂间距范围是一个连续的变化区间。在恒定温度梯度和不同凝固速度条件下，测得Al-7Si-0.36Mg合金一次枝晶臂间距上限值(λmax)、下限值(λmin)和平均值(λave)以及生长速率之间的关系，且上限值和下限值的比值接近3。模拟结果与实验结果的吻合程度明显优于Hunt?Lu等解析模型的预测结果，表明CA模型在枝晶定向凝固过程枝晶形貌演化模拟和枝晶臂间距预测等方面的准确性。结合模拟研究和文献调研分析影响定向凝固一次枝晶臂选择的因素，包括抽拉速度v、温度梯度G、界面能大小、溶质扩散系数DL、枝晶生长取向与热流方向的偏离角度θ等。

关键词: 定向凝固 , 枝晶臂间距 , 生长速度 , 元胞自动机 , 数值模拟

溶液电导率对LY12铝合金微弧氧化陶瓷层的生长速度和致密度的影响

李均明 , 蒋百灵 , 井晓天 , 文晓斌

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2003.01.014

探讨了微弧氧化溶液体系电导率对陶瓷层生长速度的影响,并以击穿场强作为反映陶瓷层致密度的物理参量,测定了实验条件下电导率与击穿场强的关系.结果表明,陶瓷层的生长速度与溶液电导率之间有近似线性的正比增长关系;而陶瓷层的击穿场强即致密度随电导率的升高呈现先升后降的变化趋势.

关键词: 微弧氧化 , 溶液电导率 , 生长速度 , 致密度

ADP晶体的全方位生长方法研究

马江涛 , 滕冰 , 钟德高 , 曹丽凤 , 温吉龙 ,

人工晶体学报

采用一种全新的ADP晶体生长方法,使晶体首先恢复其理想外形,实现晶体的全方位生长,从而提高晶体的生长速度.并对所得晶体进行了透过率,激光散射,摇摆曲线测试及热重差热分析,与常规生长方法比较并分析了全方位生长方法的优势.

关键词: ADP晶体 , 全方位生长 , 理想外形 , 生长速度

催化剂在碳纳米管制备中的影响

耿晓菊 , 王蜀霞 , 冯明海

材料导报

催化裂解法操作简单,便于控制参数,有望成为碳纳米管连续生产的最佳方法.在催化裂解法中最重要的是催化剂,主要从催化剂的选取、制备、颗粒大小、失活等方面对碳纳米管生长速度、管径、密度、产物含量的影响进行浅析.

关键词: 碳纳米管 , 催化剂 , 生长速度 , 制备方法

泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体的生长速率研究

蔡迅 , 黎建明 , 刘春雷 , 李楠

人工晶体学报

采用晶体生长数值模拟软件CrysMAS对泡生法生长蓝宝石晶体过程的温场进行了研究,利用数值模拟结果来调节晶体生长实验的生长速率,成功的长出了质量为91.3 kg的高质量蓝宝石晶体,并将模拟结果与实验结果进行了对比.结果表明:数值模拟结果能很好的反映出晶体在不同时刻的生长状态.晶体在生长初期应保持较低的生长速度,在等径生长阶段,晶体的最大生长速度应低于1002 g/h.

关键词: 泡生法 , 蓝宝石 , 数值模拟 , 固液界面 , 生长速度

Y211相粒径对YBCO单畴块材的生长及磁通俘获场的影响

李冠东 , 唐天威 , 邱傅杰 , 徐克西

低温物理学报

本文研究了Y211相粒径对YBCO单畴块材的生长及磁通俘获场性能的影响.能量色散谱(EDS)分析结果显示:YBCO熔体中的Y离子浓度随着Y211相粒径减小而增加.差示扫描量热法(DSC)热分析结果表明:YBCO熔体的起始结晶温度随着Y211相粒径减小而升高.前驱粉Y123/Y211中使用粒径细化的Y211相能使YBCO单畴块材的磁通俘获场明显增强.上述实验分析结果意味着使用细化的Y211粉体将有助于大尺寸、高性能单畴样品的制备.

关键词: YBCO , 结晶温度 , 生长速度 , 磁通俘获场

TGO对热障涂层失效的作用分析

陈慧君 , 李其连 , 程旭东 , 陈良国

材料保护

热生长氧化物（TGO）的形成与长大是热障涂层失效的根本原因。先在IC10高温合金基体上超音速火焰喷涂（HVOF）NiCoCrAlTaY粘结层（BC层），再等离子喷涂二元稀土氧化物稳定氧化锆Sc2O3-Y2O3-ZrO2，喷涂样在1100℃恒温氧化，利用扫描电镜（SEM）、能谱仪对断面形貌、成分进行分析，讨论了TGO的形成机理及其与热障涂层失效的关系。结果表明：随着恒温氧化时间增加，TGO层底部的Al含量下降，上部、中间弥散颗粒及底部的Ni含量均增加，上部、中间弥散颗粒中Cr含量均减少；喷涂样氧化140h后，TGO层由靠近陶瓷层的富（Cr，A1）2O3层、弥散其间的富Ni颗粒和靠近BC层的Al2O3层组成；TGO的生长速度先由Al与O：化学反应速度决定，接着受BC层金属元素扩散速度影响，最后由化学反应速度和扩散速度共同控制；减少TGO中的有害氧化物含量以降低涂层内的应力，可有效提高涂层的使用寿命。

关键词: 热障涂层 , 热生长氧化物 , 涂层失效 , 生长速度