王子梁
,
刘荣正
,
刘马林
,
常家兴
,
邵友林
,
刘兵
,
王永欣
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20151026.002
一般致密 SiC材料的制备需要极高的温度，而降低制备温度一直是 SiC 制备领域的重要研究方向。采用流化床化学气相沉积法，在球形二氧化锆陶瓷颗粒上制备了厚度为几十微米的 SiC 包覆层。通过对不同温度SiC包覆层的显微形貌及微观结构变化规律研究，给出了沉积效率变化规律，发现低温产物富硅，而高温产物富...
关键词:
SiC
,
流化床
,
化学气相沉积
,
甲基三氯硅烷
,
包覆层
