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韩爱珍 , 王喜莲 , 高元凯
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.004
利用电共沉积技术,在简单盐和带有络合剂的盐酸溶液中,制备了AlxGa1-xAs三元化合物薄膜.用能谱分析仪测量了薄膜成分,分析结果表明,该膜为符合化学计量比的三元化合物AlxGa1-xAs半导体材料,用分光光度计对膜进行测量,在较宽光波波段获得一定的透射率.
关键词: 电共沉积 , AlxGa1-xAs三元化合物
王喜莲 , 李浴春 , 韩爱珍 , 高元恺 , 杨志伟
材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.04.013
用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀,其V-I特性是线性的,随着Ga含量的减少,发光波长增大.InGaAs薄膜的发射光波长为1.3～1.5μm.
关键词: InGaAs薄膜 , 电共沉积
