刘奕茹
,
高志明
,
张正
,
史达飞
腐蚀学报（英文）
doi:10.3969/j.issn.1002-6495.2007.05.004
采用电化学辅助沉积法于自制的TiPO4溶液中,在以Ni-P镀层为过渡层的A3钢片上制备TiO2薄膜.利用环境扫描电子显微镜(SEM)察了TiO2薄膜的表面形貌,并用射线能谱仪(EDS)分析了其表面成分;用电化学阻抗谱法和动电位极化曲线测试方法分别研究了Ni-P/TiO2复合膜和Ni-P镀层在3.5%NaCl溶液中的耐蚀性,结果表明,两者的电化学腐蚀机理明显不同,且前者的耐蚀性优于后者.
关键词:
TiO2薄膜
,
Ni-P化学镀
,
电化学辅助沉积
,
耐蚀性
张卫民
,
胡吉明
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.03.012
采用电化学辅助技术在LY12铝合金表面沉积了两种防护性硅烷膜(1,2-二-(三乙氧基硅基)乙烷(BTSE)膜与十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)膜).电化学阻抗谱测试结果显示,经硅烷化处理后铝合金的耐蚀性能得到大幅度提高,并且发现在阴极电位下沉积所得硅烷膜的耐蚀性能较常规"浸涂法"有明显提高;两种硅烷膜均存在一个最佳的"临界阴极电位"(-0.8V),在此电位下制得的膜耐蚀性最佳.扫描电镜观察显示临界电位下所得硅烷膜最为完整致密,电位过正不利于成膜,而电位继续变负膜表面呈现多孔形貌,可能与氢气的生成并溢出破坏表面有关.由于在硅烷分子中含有疏水性较强的十二烷基长链,DTMS膜具有更好的耐蚀性.
关键词:
硅烷膜
,
电化学辅助沉积
,
铝合金
,
防腐蚀
金晶
,
李旋
,
储成林
,
郭超
,
白晶
,
薛烽
,
林萍华
航空材料学报
doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2016.4.003
采用电化学辅助沉积方法对AZ31B镁合金进行硅烷化处理,借助于动电位极化曲线和电化学阻抗谱等电化学测试手段研究了γ-(甲基丙烯酰氧基)丙基三甲氧基硅烷(KH-570)添加量对膜层质量及耐蚀性能的影响,并比较了利用羟基磷灰石(HA)颗粒、铈盐离子(Ce3+)两种改性物质改良硅烷溶液后所制得膜层的质量及耐蚀性能.结果表明:AZ31B镁合金经电化学辅助沉积硅烷处理后,表面生成一层均匀而致密的硅烷透明膜层,有效地减缓了镁合金的腐蚀行为,促使其自腐蚀电流密度大大降低;在硅烷电化学辅助沉积处理过程中,KH-570存在最佳添加量,当其添加体积约为8 mL时所制备出的硅烷膜层质量最好、耐蚀性能最佳;通过改良硅烷溶液,电化学辅助沉积制备的硅烷膜层质量进一步提高,Ce3+改良效果更佳.
关键词:
电化学辅助沉积
,
KH-570
,
AZ31B镁合金
,
电化学测试
,
耐蚀性能
张卫明
,
胡吉明
金属学报
采用电化学辅助技术在LY12铝合金表面沉积了两种防护性硅烷膜（1,2-二-(三乙氧基硅基)乙烷（BTSE）、十二烷基三甲氧基硅烷（DTMS））。电化学阻抗谱测试结果显示，经硅烷化处理后铝合金的耐蚀性能得到大幅度提高，并且发现在阴极电位下沉积所得硅烷膜的耐蚀性能较常规“浸涂法”有明显提高；同时发现对两种硅烷膜而言，均存在一个最佳的“临界阴极电位”（-0.8V），在此电位下制得膜的耐蚀性最佳。扫描电镜观察显示该“临界电位”下所得硅烷膜最为完整致密，电位较正不利于成膜，而电位继续变负膜表面呈现多孔形貌，可能与氢气的生成并溢出破坏表面有关。由于在硅烷分子中含有疏水性较强的十二烷基长链，DTMS膜具有更高的耐蚀性。
关键词:
铝合金
,
corrosion protection
,
Silane films
,
electrochemical-assisted deposition
