材料期刊网

电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布

徐继平 , 程凤伶

人工晶体学报

电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法.本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析.研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可以为研究掺硅GaAs半导体材料载流子浓度工艺优化和改进提供重要指导依据.

关键词: 电化学C-V , MOCVD , GaAs , 载流子浓度