伍春燕
,
陈易明
,
钟韶
,
张海燕
,
何艳阳
,
朱燕娟
,
梁远博
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.03.016
将Sn粉末和C60粉末共同蒸发获得碱土族金属掺杂的C60薄膜样品,与未掺杂的纯C60样品一起进行扫描电镜、紫外可见吸收光谱和电阻随温度变化特性的测量,分析比较掺杂对薄膜样品的组成、结构和性质的影响.结果显示,掺锡后组成薄膜的纳米颗粒略有增大并突出表面,使薄膜的电子发射阈值降低;掺入的Sn原子在禁带中形成杂质能级,使电子吸收跃迁由原来的直接跃迁变为间接跃迁,导电性也由原来的绝缘体变为N型半导体.
关键词:
掺杂
,
电子吸收跃迁
,
导电性
,
C60薄膜
