李婷婷
,
彭超群
,
王日初
,
王小锋
,
刘兵
中国有色金属学报
总结微电子封装技术对封装基片材料性能的要求,论述Al2O3、AlN、BeO、SiC和Si3N4陶瓷基片材料的特点及其研究现状,其中AlN陶瓷基片的综合性能最好.分析轧膜、流延和凝胶注模薄片陶瓷成型工艺的优缺点,其中水基凝胶注模成型工艺适用性较强;指出陶瓷基片材料和薄片陶瓷成型工艺的发展趋势.
关键词:
电子封装材料
,
Al2O3陶瓷
,
AlN陶瓷
,
BeO陶瓷
,
SiC陶瓷
,
Si3N4陶瓷
,
流延成型
,
凝胶注模成型
丁艺
,
旦辉
,
林金辉
材料导报
介绍了高纯球形纳米SiO2在电子封装材料中的应用,高纯球形纳米SiO2的优越特性(高介电、高耐热、高耐湿、高填充量、低膨胀、低应力、低杂质、低摩擦系数等)和作用.并归纳和评价了高纯球形纳米SiO2的制备方法,认为以水玻璃为基本原料,采用溶胶-凝胶法能制备出可应用于电子元器件塑封料填料的高纯球形纳米SiO2.
关键词:
高纯
,
球形
,
纳米SiO2
,
电子封装材料
刘猛
,
李顺
,
白书欣
,
赵恂
,
熊德赣
材料导报
详细介绍了SiCp/Cu电子封装材料的主要制备方法及应用情况,目前国内外SiC/Cu电子封装材料的主要制备方法有粉末冶金法、放电等离子烧结法、无压浸渗法、压力浸渗法和反应熔渗法,其中包覆粉末热压烧结法和压力浸渗法是目前研发应用较广泛的两种方法.分析了SiC与Cu之间的界面反应机理,并指明SiCp/Cu电子封装材料的制备要解决的主要问题就是在SiC与Cu之间设置界面阻挡层,进而详细阐述了SiCp/Cu电子封装材料主要界面改性方法及其调控效果,并指出目前应用最好的两种方法是物理气相沉积法和化学气相沉积法.
关键词:
电子封装材料
,
SiCp/Cu
,
制备方法
,
界面反应
,
界面调控
吴泓
,
王志法
,
姜国圣
,
崔大田
,
郑秋波
稀有金属材料与工程
采用化学镀铜的方法在钨粉中加入诱导铜,经压型,熔渗后制成W/15Cu合金.用扫描电镜研究了材料的显微结构,并测出合金样品的密度、气密性、热膨胀系数等物理性能,通过与传统工艺制备的W/15Cu合金的显微组织以及物理性能方面做比较,讨论了钨粉化学镀铜对W/15Cu合金性能的影响.结果表明,钨粉化学镀铜对于提高钨生坯成形性能、改善钨铜复合材料的显微组织结构、提高材料物理性能方面都有很大作用.经过综合比较,镀铜含量以2%为宜.
关键词:
化学镀铜
,
W/15Cu合金
,
电子封装材料
,
诱导铜
,
熔渗
程挺宇
,
熊宁
,
吴诚
,
秦思贵
,
凌贤野
机械工程材料
采用不同轧制复合工艺制备了铜/钼/铜复合板;利用超声检测仪、万能材料试验机等研究了首道次压下率和退火温度对复合板结合强度及热导率的影响,在此基础上确定了其轧制复合工艺.结果表明:采用首道次压下率为60%、退火温度为700℃、保温时间为60 min的是较理想的工艺,其界面结合强度可达到80 N·mm~(-1),其厚度方向的热导率为210 W·m~(-1)·K~(-1).
关键词:
电子封装材料
,
退火
,
压下率
,
铜
,
钼
周智耀
,
詹土生
,
徐伟
,
杨宁
,
朱玉斌
稀有金属材料与工程
对相对密度为90.5%的Mo-15Cu薄板分别进行70%、90%冷轧变形,随后在1200℃保温1或1.5 h进行复烧处理.观察复烧前后的显微组织变化,并测定70%变形量板材复烧前后的XRD图谱、热导率、电阻率以及线膨胀系数.通过分析发现,复烧后大量地消除Mo-15Cu薄板的组织缺陷,70%变形量板材复烧后的热导率为154.5 W·(m·K)-1,电阻率为4.48μΩ·cm,线膨胀系数为6.31×10-6K-1.结果表明,复烧工艺可以极大地改善Mo-15Cu冷轧薄板的组织和物理性能,使其能够达到作为电子封装材料的要求.
关键词:
Mo-15Cu
,
复烧
,
组织
,
物理性能
,
电子封装材料
方萌
,
胡玲
,
杨磊
,
史常东
,
吴玉程
,
汤文明
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.11.029
高硅 SiCp/Al 复合材料化学镀镍是其表面金属化的关键步骤,化学镀前的敏化工艺易造成该复合材料表面Al 合金的过度腐蚀,形成腐蚀孔洞缺陷,金属化后的试样表面粗糙度增加,并对后续的钎焊工艺产生不利影响.本文采用 SnCl2＋HCl 溶液对高硅SiCp/Al复合材料进行敏化处理,研究了敏化时间和敏化液浓度对试样表面质量的影响.结果表明,敏化0．5 min 后试样表面 Al 合金腐蚀程度小,沉积的Sn(OH)2颗粒数量少.敏化1．5 min 以上,试样表面Sn(OH)2颗粒数量多,但 Al 合金完全腐蚀,留下大而深的腐蚀孔洞；降低敏化液浓度也不能明显提高敏化试样的表面质量.敏化1．0 min 后,试样表面 Al 合金连续分布,无大而深的腐蚀孔洞,Sn(OH)2颗粒数量适中.经过1 min敏化的高硅 SiCp/Al 复合材料试样表面化学镀层质量良好.
关键词:
电子封装材料
,
高硅 SiCp/Al复合材料
,
化学镀
,
敏化
,
腐蚀
段柏华
,
林冰涛
,
曲选辉
,
何新波
,
程彤
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2007.08.009
以羰基Fe,Ni粉为原料,蜡基聚合物为粘结剂,采用粉末注射成形技术制备了4J42 Invar合金零件.研究了粉末注射成形Invar合金的脱脂及烧结工艺.结果显示:"溶剂脱脂+热脱脂"工艺能有效快速地实现粘结剂的完全脱除;经1350℃氢气烧结,可以获得致密度98.5%,30～300 ℃内平均热膨胀系数为4.5×10-6 K-1、漏气率＜1.4×10-9 Pa·m3·s-1的PIM 4J42 Invar合金.金相显微组织及XRD分析表明合金为单一稳定的奥氏体(γ相)组织.
关键词:
粉末注射成形
,
Invar合金
,
热膨胀性
,
电子封装材料
刘有金
,
张云龙
,
高晶
,
胡明
兵器材料科学与工程
采用化学镀工艺制备了镀铜SiC微粉.化学镀工艺参数对该复合粉体的包覆行为影响较大.利用冷压成型和无压烧结技术制备了SiCp/Cu基复合材料,并对该复合材料的微观结构和热膨胀系数进行研究.结果表明:SiC颗粒分布较均匀,SiC颗粒与基体之间界面结合良好；随测量温度增加,SiCp/Cu基复合材料的线膨胀系数呈非线性增加；当SiCp体积分数相同时,减小SiCp颗粒尺寸有利于降低复合材料的热膨胀系数.
关键词:
电子封装材料
,
化学镀
,
SiCp/Cu基复合材料
,
热膨胀系数
赵坤
,
王敏
,
拓川
金属功能材料
本文从集成电路和半导体材料(多晶硅,SiGe-HBT材料)、光电子材料(高亮度LED用GaN基异质外延材料,液晶材料)、新型电子元器件材料(电子封装材料,绿色电池材料,覆铜板材料)3方面介绍了基于低碳经济的电子信息材料的研究现状和发展前景.根据低碳经济的发展需求,展望了电子信息材料的发展趋势:向着大尺寸、智能化、多功能化、高集成化、节能环保型方向发展.
关键词:
集成电路和半导体材料
,
多晶硅
,
光电子材料
,
电子封装材料
,
低碳经济
