黄家健
,
周闯
,
周健
,
杨卓鸿
,
袁腾
高分子材料科学与工程
doi:10.16865/j.cnki.1000-7555.2016.04.005
以异氟尔酮二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、聚乙二醇(PEG)、聚己二酸丁二醇、蓖麻油(CO)、二羟甲基丙烯酸(DMPA)、双酚A和丙烯酸羟乙酯为原料合成了一系列蓖麻油基UV固化聚氨酯丙烯酸酯(PUA),通过配方优化获得了综合性能良好、高绝缘性、高附着力的绝缘油墨用PUA树脂.通过红外光谱、热重分析、导电和接触角测定等对树脂及固化膜性能进行了表征.结果表明,-NCO基团处的特征吸收峰的消失,氨基甲酸酯键及C=C特征峰的出现表明了整个反应体系是朝着实验设计的方向进行的;随着CO/PEG摩尔比的增加,PUA低聚物的耐热性提高,导电性能减弱.同时探讨了CO/PEG摩尔比,CO/聚己二酸丁二醇酯二醇(PBA)摩尔比和DMPA含量等对涂膜性能的影响,结果表明,CO/PEG摩尔比为1/6,CO/PBA摩尔比为1/3,PBA/PEG为1/2,DMPA的质量为所有组分总质量的1.5%时,光固化后的涂膜综合性能优异.
关键词:
生物质
,
蓖麻油
,
UV固化
,
聚氨酯
,
绝缘油墨
,
电子材料
,
膜
董一鸣
,
沈波
,
康利平
,
张良莹
,
姚熹
材料导报
采用预成瓷的方法,得到单斜类锆钙钛矿相Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(β-BZT)和钙钛矿相CaTiO3(CT)的粉末,分别作为正负温度系数组元制备复相零温度系数微波陶瓷.预成瓷法可以抑制两相固溶反应,有效降低复相陶瓷烧结温度.采用复相方法可以调节温度系数,特别是在940℃烧结的CT含量为5%的样品,其介电常数εr=73.3(1MHz),温度系数αε=27×10-6/℃.
关键词:
电子材料
,
Bi2O3-ZnO-Ta2O5系陶瓷
,
复相陶瓷
,
介电性能
张富文
,
刘静
,
杨福宝
,
胡强
,
贺会军
,
徐骏
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.05.005
Sn-Ag-Cu系无铅焊料由于具有良好的焊接性能和使用性能, 已逐渐成为一种通用电子无铅焊料;综述了Sn-Ag-Cu系焊料从无到有、从二元发展至三元乃至多元的发展历程, 及其研究现状和当前应用较多的几个典型成分的各自应用水平, 对当前Sn-Ag-Cu系焊料的熔化温度、润湿性、组织结构和力学性能研究方面以及存在的超电势问题、抗氧化和抗腐蚀性不足、使用的可靠性等主要问题作了总结, 并根据国情对其在国内外的发展前景作了预测和展望, 提出在发展无铅焊料过程中需要着重注意研究的几个方面, 并指出今后较长一段时间内不会出现某一种无铅焊料能像Sn-Pb系那样独断电子封装行业的状态.
关键词:
无铅焊料
,
Sn-Ag-Cu
,
性能
,
电子材料
黄富春
,
李文琳
,
熊庆丰
,
李晓龙
,
晏廷懂
,
余伟
,
张红斌
,
刘继松
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2012.02.006
用水合肼( N2H4·H2O)化学还原制备超细银粉,将超细银粉用不同的球磨方法制备成片状银粉.通过片状银粉的性能对比发现,采用湿法球磨可以制备出厚度<100nm、径厚比>50∶1的片状银粉,在浆料应用中银粉有较好的导电性能.
关键词:
金属材料
,
电子材料
,
片状银粉
,
化学还原法
,
径厚比
,
浆料
余德超
,
谈定生
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.02.013
电镀铜层具有良好的导电、导热、延展性等优点,因此,电镀铜技术被广泛应用于电子材料制造领域.本文概括了几种常用电镀铜体系的特点,重点介绍了在电子制造中应用较广的酸性硫酸盐电镀铜镀液的组成和各成分作用.简述了电镀铜在铜箔粗化、印制电路制作、电子封装、超大规模集成电路(ULSI)铜互连领域的应用,并对近年来电子工业中应用的几种先进电镀铜技术,包括脉冲电镀铜技术、水平直接电镀铜技术、超声波电镀铜技术、激光电镀铜技术等进行了评述.
关键词:
电子材料
,
电镀铜
,
铜箔粗化
,
印制电路
,
电子封装
,
超大规模集成电路(ULSI)
王爽
,
苏皓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.01.001
对Pb(TiSn)O3掺杂及烧结温度对BaTiO3陶瓷的微观结构和介电性能的影响进行了研究.研究表明,在BaTiO3陶瓷中添加Pb(TiSn)O3,产生细晶效应使介电常数增大,同时居里温度升高到到150℃,电容量变化率特性改善.XRD分析表明,四方率随烧结温度的提高而减小,有助于电容量变化率特性的改善.本实验获得了满足X8R特性的瓷料系统,掺杂0.9mo1%Pb(TiSn)O3的BaTiO3陶瓷在1180℃烧结6小时的介电性能如下:介电常数ε25℃>1500,介电损耗tanδ<1.8%,-55 ℃~180℃范围内最大电容量变化率≤±15%.
关键词:
电子材料
,
钛酸钡
,
X8R
,
烧结温度