陈哲
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董连和
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孙艳军
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冷雁冰
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王丽
人工晶体学报
采用电子束蒸发法,以高纯CdS块料为膜料在玻璃基底上制备了CdS薄膜,设计了L9(34)正交实验,研究了各工艺参数对薄膜光电性能的影响.结果表明,随着基底温度,蒸发速率的提高,薄膜的电阻值呈降低趋势达到最小值后稍有升高;薄膜的阻值随真空度的降低而降低,达到一定程度后阻值基本保持不变.薄膜的暗亮电阻比即光敏性,随基底温度的增大先增大达到最大值后开始减小;而随蒸发速率的提高光敏性先缓后急的增加;真空度对光敏性的影响与蒸发速率对光敏性的影响正好相反,表现为随真空度的增加光敏性先急后缓的降低.正交实验表明:当基底温度为150℃,蒸发速率为1 nm·s-1,真空度为3×10-3 Pa时,薄膜的光电性能最好.CdS薄膜的光敏性达到7.7×102,其中亮电阻的最小值为1350Ω/□.
关键词:
CdS薄膜
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电子束蒸发法
,
正交实验
,
光电性能
杨定宇
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郑家贵
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朱兴华
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魏昭荣
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夏庚培
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冯良桓
功能材料
分别采用近空间升华法和电子束蒸发法在透明导电玻璃和普通载玻片上制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜.对制备样品的表征结果表明:(1)两种方法制备样品都沿(002)晶向择优生长,属于六方相多晶结构,但择优取向度不同;(2)CdS薄膜表面连续而致密,粒径均匀,但两种工艺制备样品的S:Cd原子比有较大差异;(3)CdS薄膜的光能隙在2.39～2.44eV之间,电子束蒸发制备样品光能隙稍小.分析认为,两种方法制备样品的上述差异可能与衬底温度、沉积时间及成膜机制的不同相关.
关键词:
CdS多晶薄膜
,
太阳电池
,
近空间升华法
,
电子束蒸发法
李天璘
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朱彦旭
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徐晨
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高国
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沈光地
功能材料
由于ITO具有复杂的微观结构和吸收机制,很难准确测量出它的光学常数.采用变入射角光度椭偏仪(VASE)建立了一套简单的拟合模型,成功拟合出ITO光学常数在可见光范围内随波长的变化关系.并在此基础上分析了电子束蒸发法蒸发速率对ITO薄膜光学常数的影响.根据Hall效应测量了ITO在不同蒸发速率下的载流子浓度,分析了ITO光学常数随蒸发速率增加而增加的机理.
关键词:
ITO
,
椭偏仪
,
电子束蒸发法
,
蒸发速率
