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超薄铝/碳酸锂修饰氧化铟锡阴极制备蓝色磷光反转底发光有机发光二极管

史常生 , 陈江山 , 马东阁

应用化学 doi:10.3724/SP.J.1095.2012.20445

在氧化铟锡(ITO)阴极上依次蒸镀2 nm铝和2 nm碳酸锂(Li2 CO3)薄膜作为电子注入层,成功制备出器件结构为ITO/Al/Li2 CO3/SPPO13/SPPO13:FIrpic/TCTA/MoO3/Al(SPPO13:2,7-双(二苯基磷)-9,9'-螺二[芴];FIrpic:双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱;TCTA:4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺)的蓝色磷光反转底发光有机发光二极管(IBOLED).结果表明,Al/Li2CO3作为电子注入层可以有效降低ITO与有机材料之间的电子注入势垒,蓝色磷光IBOLED的起亮电压由11 V降至4.2V,器件的发光效率也得到有效提高.蓝光磷光IBOLED的最大电流效率与功率效率分别达到了28.2 cd/A和19.6 lm/W,制备出的反转结构器件性能可与传统正置结构比美,说明Al/Li2 CO3可以作为反转有机发光二极管优良的电子注入层.

关键词: 有机发光二极管 , 反转底发光 , 电子注入层 , 氧化铟锡阴极

LiF作为电子注入层对OLEDs器件性能的影响

李志贤 , 张方辉 , 赵彦钊 , 王秀峰

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.012

制造了两种OLEDs器件,它们的结构分别为:ITO/NPB(50 nm)/Alq3(65 nm)/Mg:Ag(10:1)(100 nm)/Ag(50 nm)and ITO/NPB(50 nm)/Alq3(65 nm)/LiF(x)/Al(100 nm).结果发现,在同样电压下,与Mg:Ag/Ag电极相比,插入LiF层可以明显提高器件的电流.当LiF厚度为1 nm时,器件性能最好.以Mg:Ag/Ag合金作为电极时的器件的最大亮度为8 450 cd/m2,而插入LiF层的器件最大亮度可达到14 700 cd/m2.此外,器件的发光效率也得到了明显的提高,在7 V时达到了最大为3.117 cd/mA.同时,当LiF厚度大于1 nm或小于1 nm时,器件性能都将会下降.

关键词: OLEDs , LiF厚度 , 电子注入层

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