史可文
,
孙莹
,
邓司浩
,
王蕾
,
胡鹏伟
,
王聪
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.07.07
采用固相反应法成功制备了Mn3Zn1-xSnxN(x =0.05,0.1,0.15,0.2,0.3)系列化合物,研究了Sn替代Zn对Mn3Zn1-xSnxN化合物的热膨胀、熵变和电输运性能的影响.Mn3 ZnN化合物在磁相变温区以下具有低热膨胀行为,随着Sn掺杂量的增加,Mn3Zn1-xSnxN系列化合物的低膨胀温区(LTE)逐渐提高到室温以上.同时,低膨胀温区内的线膨胀系数逐渐升高.然而,Sn含量的增加对磁相变附近的负热膨胀行为未产生明显的影响.电阻测量结果表明Mn3Zn1-xSnxN化合物低温(50 K以下)电输运出现反常.随着Sn含量的增加,Mn3Zn1-xSnxN化合物在低温下出现的电阻率极小值现象逐渐减弱,最终在x=0.2处消失.拟合结果表明,该系列化合物中的电子-电子散射随掺杂量增加逐渐增强,出现明显的费米液体行为.由于丰富的低膨胀性能和独特的电输运性能,该化合物在功能材料领域将具有重要的研究价值和应用前景.
关键词:
负热膨胀
,
相变
,
电阻率
,
电子-电子散射
