张雪凤
,
潘震
,
王政红
,
邢朋飞
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2009.03.001
以纯度为99.99%的纯金属In和Sn为原料,采用电弧气化法制备了单一立方In2O3结构的纳米ITO合金粉末,所制备的粉末以四方和类球形两种形貌存在,粒度主要位于30～70nm,分散性良好;并在此基础上采用常压烧结制备了相对密度高达99.74%,平均电阻率达到1.52×10-4Ω·cm,结构成份均匀,晶粒尺寸5～10μm左右的超高密度ITO靶材.
关键词:
电弧气化法
,
纳米
,
ITO粉
,
ITO靶
张瑾
,
竺培显
,
周生刚
,
孙丽达
,
黄文芳
,
杨秀琴
,
许健
材料科学与工程学报
采用直流电弧法在不同冷却介质中分别制备了纳米Sn粉末,利用X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM)测试手段对样品的物相、形貌、粒度等进行表征.发现在液体松油醇冷却条件下制备出的粉末粒径较小,粒径均匀,平均约为60nm,形貌为球形,且纯度较高;而在Ar气的冷却条件下制备的粉末粒径较大,平均约为65nm,有少量氧化.通过对粉末的形核长大机理进行分析讨论,认为温度梯度、饱和度是形核长大的重要影响因素.在相同的制粉条件下,以松油醇为冷却介质能产生较大的温度梯度,有助于获得较高的形核率,抑制粉末的长大,可制得较细的纳米Sn粉末.
关键词:
纳米 Sn 粉
,
电弧气化法
,
冷却介质
