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磁控注入电子枪的研究

赵青 , 李宏福 , 任同 , 罗勇

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2003.04.008

介绍了毫米波回旋速调管磁控注入电子枪的结构与特点. 依据回旋管对电子枪的要求, 考虑相对论效应和空间电荷效应, 编制了一套计算程序. 利用电子枪模拟程序对电子轨迹进行模拟计算, 研究了电极形状、磁场分布以及电子轨迹与电子注参量的影响, 为磁控注入电子枪的设计提供了理论依据.

关键词: 磁控注入电子枪 , 模拟计算 , 电子注 , 电极形状

介电泳抛光方法及其电极形状的实验研究

林益波 , 赵天晨 , 邓乾发 , 袁巨龙

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.01.025

目的 验证介电泳抛光方法的有效性,研究电极形状对介电泳抛光方法均匀性、抛光效率和去除率的影响. 方法 选取直径76. 2 mm的单晶硅片为实验对象,进行传统化学机械抛光( CMP)实验和使用4种电极形状的介电泳抛光实验,每隔30 min测量硅片不同直径上的表面粗糙度以及硅片的质量,然后对测量的数据进行处理和分析. 结果 与传统CMP方法比较,使用介电泳抛光方法抛光的硅片,不同直径上的表面粗糙度相差小,粗糙度下降速度快,使用直径60 mm圆电极形状介电泳抛光时相差最小,粗糙度下降最快. 介电泳抛光方法去除率最低能提高11 . 0%,最高能提高19 . 5%,最高时所用电极形状为内径70 mm、外径90 mm的圆环. 结论 介电泳抛光方法抛光均匀性、效率和去除率均优于传统CMP方法.

关键词: 介电泳抛光 , 电极形状 , 单晶硅片 , 均匀性 , 表面粗糙度 , 去除率

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