郭兴梅
,
赵琰
,
孙康宁
硅酸盐通报
本文综述了压电陶瓷颗粒增韧陶瓷基复合材料的研究进展,重点讨论了增韧机理、极化及不同工艺对增韧效果的影响.分析认为,研究一种低成本、烧结性能较好且能够与基体稳定共存的压电材料,以及能够获得最佳性能的合适的制备工艺是目前的研究趋势,具有广阔的发展前景.
关键词:
陶瓷增韧
,
压电陶瓷
,
力学性能
,
极化处理
,
电畴结构
刘兴来
,
田玉明
稀有金属材料与工程
通过固相法制备了施主掺杂的(Ba,Pb)TiO3半导体陶瓷,研究了掺杂对(Ba,Pb)TiO3陶瓷的物理性能、显微结构、电畴结构及半导化机理的影响.结果表明,掺加一定量的施主Sb3+,Nb5+及复合施主(Sb3+,Nb5+)均可以实现陶瓷的半导化,而且杂质种类的不同材料的显微结构、电畴结构及半导化机理也存在显著的差别,复合施主掺杂可以进一步降低材料的室温电阻率,并且制得结构致密、高耐压值的(Ba,Pb)TiO3陶瓷.结合不同施主掺杂对显微结构、电畴结构的影响及缺陷化学理论,对(Ba,Pb)TiO3陶瓷的半导化机理给出了定性的解释.
关键词:
(Ba,Pb)TiO3
,
显微结构
,
电畴结构
,
半导化
张绍锋
,
李强
,
杨子
人工晶体学报
采用坩埚下降法生长了具有准同型相界(MPB)组分的65Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-35PbTiO3 (PMNT65/35)弛豫铁电单晶.用偏光显微镜研究了(001)、(110)和(111)三个结晶学取向的铁电畴结构,观察到明暗交替的变化.通过对极化前后电畴形状的比较,分析了极化前后铁电畴形态的变化原因.晶片极化条件为:600 V/mm 的电场并保持10～15 min.研究了极化介质不同对极化后晶片压电性能的影响.
关键词:
PMNT单晶
,
弛豫铁电体
,
电畴结构
,
极化
方必军
,
徐海清
,
罗豪甦
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2002.06.011
对用改进的Bridgman法生长的Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.91Ti0.09]O3(PZNT91/9)单晶用Laue衍射法和XRD衍射曲线定向,取(001)晶片研究材料的电学性能.结果表明,材料的介电性能呈现出明显的频率色散现象,随着测试频率的升高,介电常数的峰值温度出现反常,峰的位置向低温方向移动.用扫描电子显微镜和正交偏光显微镜研究了PZNT91/9单晶的电畴结构,发现规则排列的带状畴与杂乱分布的细畴并存.X射线荧光分析结果表明,在PZNT91/9单晶中存在着由成分分凝引起的组分变化.成分分凝引起的组分波动和电畴结构的复杂性导致了材料性能的不均匀性,并与材料铁电相变的弥散性特征相关.
关键词:
PZNT
,
弥散性相变
,
成分分凝
,
电畴结构
,
矫顽场
郑燕青
,
陈建军
,
路治平
,
王绍华
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.06.002
采用双坩埚提拉法(DCCZ)生长了各种不同成分的近化学计量比LiNbO3晶体,并用腐蚀法观察了其电畴结构.结果表明,化学成分对未经极化处理晶体的电畴结构起决定性作用,当Li2O含量处于49.4mol%附近时,晶体z面电畴呈现特殊的三次对称反畴;当晶体中Li2O含量为49.7mol%时,晶体为完全单畴.本文对其形成机理进行了探讨,认为在由顺电相向铁电相转变时,局部铁电畴的极性方向与该处沿z轴方向的温度梯度正负密切相关,z轴生长晶体时,由于相变发生所处位置离生长界面的距离受LiNbO3晶体计量比影响,所处温场固有温梯也随之不同,在此基础上解释了不同成分晶体的电畴结构形成原因.最后讨论了控制铁电畴结构的工艺措施.
关键词:
LiNbO3晶体
,
化学计量比
,
电畴结构
,
机理
方必军
,
徐海清
,
罗豪甦
材料研究学报
用Laue衍射法结合XRD衍射曲线将用改进的Bridgman法生长的Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.91Ti0.09]O3(PZNT91/9)单晶定向，取(001)晶片研究材料的电学性能。结果表明，材料的介电性能呈现出明显的频率色散现象，随着测试频率的升高，介电常数的峰值温度出现反常，峰的位置向低温方向移动。用扫描电子显微镜和正交偏光显微镜研究了PZNT91/9单晶的电畴结构，发现规则排列的带状畴与杂乱分布的细畴并存。X-ray荧光分析结果表明，在PZNT91/9单晶中存在着由成分分凝引起的组分变化。成分分凝引起的组分波动和电畴结构的复杂性导致了材料性能的不均匀性，并与材料铁电相变的弥散性特征相关。
关键词:
PZNT
,
null
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null
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