樊玉勤
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王新强
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王连轩
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胡凯燕
材料导报
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下分别计算了无掺杂和掺杂过渡金属Cr原子的AlN半导体的电磁性质,结果表明,掺杂后AlN由半导体转变为半金属,并具有较宽的半金属能隙.当掺杂浓度为25%、12.5%、5.6%时,半金属能隙分别为0.8eV、1.1eV、1.2eV.以掺杂浓度为12.5%的Cr-AlN(2×2×1)为例,详细分析了其能带结构、态密度分布和电子布居数以及磁矩等.
关键词:
AlN
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电磁性质
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能带结构
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态密度
王敬平
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郝险峰
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吕敏峰
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刘见芬
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邢献然
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孟健
中国稀土学报
通过溶胶-凝胶法,合成了稀土Dy3+掺杂的Fe3O4样品,研究了掺杂对电磁性质的影响.通过X射线衍射分析发现,由于离子半径的不匹配,Fe3O4中稀土离子的高浓度掺杂不能实现,仅有极少量的稀土离子取代了Fe3O4中的Fe3+.通过振动样品磁强计对磁性质进行了表征,掺杂引起样品饱和磁化强度发生变化,这可能是因为Dy3+取代引起的磁化强度增加和杂相引起的磁化强度降低共同作用的结果.四电极法研究隧道磁阻发现,磁阻与掺杂量的关系表现出降低-升高-降低的特殊变化规律.这主要是由于掺杂Fe3O4自旋极化率降低导致隧穿磁阻下降,同时,掺杂Fe3O4在隧穿颗粒体系中实现了第二相即绝缘相的同步合成,第二相的出现有利于隧穿磁阻的增加.
关键词:
Fe3O4
,
镝掺杂
,
柠檬酸前驱体法
,
电磁性质
,
稀土
曹正艳
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杨春明
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李海银
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向延滨
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2009.11.003
采用固相低热合成法制备了纳米草酸钴,在不同条件下将聚苯胺原位生长在草酸钴表面获得兼具导电性和导磁性的聚苯胺/CoC_2 O_4纳米复合物. 考察了反应物配比、混合条件、活性剂的种类和用量对产物形貌结构及其电磁性质的影响. 通过透射电子显微镜、X射线衍射、热重分析等测试技术表征了合成产物. 结果表明,通过改变纳米CoC_2 O_4与聚苯胺原位生长的复合条件可以有效调控产物的形貌结构及其微波吸收性能. 最佳实验结果为:在超声作用下获得的聚苯胺/CoC_2 O_4试样在8.6 GHz 处具有最大的反射损耗(-28.8 dB),大于-10 dB的带宽达3.2 GHz.
关键词:
聚苯胺
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草酸钴
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纳米复合物
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电磁性质