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应用于超薄栅氧化CMOS器件的两种电荷泵改进技术的比较

王庆学

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.018

本文提出了High-low multi-frequency(HLMF)和Average bottom-top-pulse(ABTP)两种电荷泵改进技术,用于提高表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷的精度.结果表明,在电荷泵技术测量过程中,这两种改进技术能非常有效地扣除漏电流.同时,也分析了电荷泵电流曲线的几个典型特性.由于ABTP技术是用静态模式测量漏电流,所以,在大的负Vbase端,电荷泵电流曲线的尾部出现大的波动.通过比较,我们发现HLMF具有更高的精度,可以作为用于提升表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷精度的一种重要技术.

关键词: 电荷泵 , 超薄栅氧化 , CMOS , HLMF , ABTP

一种高效率的二相位CMOS高压发生器

马先林 , 陈钟鸣 , 王竞 , 杨念钊 , 郭雪峰

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.05.022

随着电源电压的不断降低和芯片面积的不断减小,电荷泵的效率已成为MOS电荷泵电路设计过程中最为人们关心的问题之一.由于传统的Dickson MOS电荷泵在每个传输管上都有阈值电压的损失,使得它的效率很低.为了解决这一问题,各种电荷泵电路在不断地出现.四相位MOS电荷泵电路自发明以来,得到了广泛的应用,但是它需要产生四个时钟,增大了面积;更为重要的是,由于四相位电荷泵要求在一个周期内提供四个互不重叠的高电平,从而限制了时钟频率的提高.本文在四相位电荷泵的基础上,提出了一种新型的二相位的电荷泵电路,解决了提高效率和增加芯片面积以及时钟频率提升的矛盾.

关键词: MOSFET , 电荷 , 电荷泵 , 效率

TFT-LCD驱动芯片内置电荷泵的优化

吕丽峰 , 魏廷存 , 高武

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.022

根据手机用TFT-LCD的显示和驱动要求,优化设计了一种用于TFT-LCD驱动IC的内置电荷泵升压电路.使用O.25 μm CMOS高压工艺的HSPICE仿真结果表明,与传统的电荷泵电路相比,优化后的电荷电压稳定速度提高将近一倍,升压效率和功率效率分别提高4%和5%,全部输出电压上升到稳定值的时间小于60 ms,满足设计要求.该新型升压电路采用3个时钟控制开关动作,共用升压电容,减少了外接升压电容的数目,另外能够同时产生正倍压和负倍压.

关键词: TFT-LCD , 驱动IC , 电荷泵 , 升压效率

0.18μm NMOSFETS的衬底偏压增强电子注入的电荷泵技术

王庆学

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.026

分别研究了0.18μm NMOSFETS的传统漏雪崩热载流子(DAHC)和衬底偏压增强电子注入(SEEI)的退化机制.结果表明,在这两个偏置条件下,界面缺陷的产生均是导致热载流子诱导器件性能退化的主导因素.界面缺陷诱导的反型层电子迁移率下降是导致先进深亚微米NMOSFETS电学特性退化的根本原因.

关键词: SEEI , 界面缺陷 , 电荷泵

电压倍增之像素设计

陈恒殷 , 蔡志宗 , 黄日锋

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.04.019

为了节省面板电路驱动芯片的功率损耗以及制作成本,本研究提出一种新的像素电路设计,而在设计中将会融合电荷泵电路.利用这种电路设计的像素可有效地将像素电极上的驱动电压提高到输入电压的2~3倍以上.此像素电路设计具有两个优势:第一,可以有效降低显示面板的像素功率损耗;第二,不需高电压的面板电路驱动芯片,因此可节省芯片的成本及功率损耗.由模拟结果可知,像素电极上的驱动电压确实可由此像素电路设计而提高到输入电压的2~3倍以上;而像素的功率损耗也可有效地降低,约为传统像素的1/2.

关键词: 面板像素设计 , 电荷泵 , 功率损耗

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