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Si基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜的电荷储存稳定性和电荷输运特性

张晓青 , 夏钟福 , 潘永刚 , 张冶文

功能材料

非晶态二氧化硅(SiO2)具有优良的驻极体性质,可制成微型化、集成化和机敏化的高灵敏度的传感器.但是,热氧化SiO2驻极体膜的高压应力引起微结构变形,对薄膜储电特性形成复杂的影响.利用氮化硅薄膜的高张应力研制成氮化硅/二氧化硅(SiN4/SiO2)双层膜,可使其内应力相互补偿.本文讨论了双层膜驻极体的电荷储存稳定性及电荷输运特性.实验结果表明,Si3N4/SiO2双层膜具有比单层膜更优异的电荷储存稳定性,Si3N4/SiO2双层膜系统的电荷寿命比SiO2驻极体约高两个数量级.常温恒压电晕充电,电荷被储存在Si3N4/SiO2双层膜的近自由面附近,随着充电温度的提高,平均电荷重心向驻极体内部迁移.但是在低于300℃的充电温度下,平均电荷重心不能达到Si3N4和SiO2的界面处.电荷输运受缓慢再捕获效应控制.

关键词: 驻极体 , 双层薄膜 , 电荷储存 , 电荷输运

有机发光器件(ITO/TPD/Alq3/Mg/Al)的光电性能研究

刘陈 , 徐重阳 , 尹盛 , 钟志有 , 王长安

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.014

为了研究有机电致发光器件光电性能随工作参数的变化,对 ITO/TPD(50nm)/Alq3(50nm)/Mg/Al的实验数据进行分析,发现该器件在低压时属于注入电流限制,高压时为陷阱电荷限制 (TCLC).另外,采用实验数据验证复合理论 ,发现通过电场数据和电流密度数据( F2/J)能够直接 地反映器件量子效率随电流密度的变化趋势.

关键词: 有机发光器件 (OLED) , 八羟基喹啉铝 (Alq3) , 量子效率 , 电荷输运

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