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降低电路板表面离子污染值的工艺研究

刘信安 , 陈双扣 , 高焕方 , 谢昭明 , 陈一农 , 郑国禹

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2003.06.013

针对在线路板生产过程中,线路板表面的离子污染值(Ionic Contamination Value)较高,不能满足现代线路板生产的要求.研究了降低表面污染值的方法,通过试验对溶液组成、阳极组成及操作条件等工艺参数进行优化,并采用Omega Conductometer和X-ray 能谱分析等方法对表面的变化情况进行测试和评价.结果表明,通过降低镀液中Pb2+浓度,增加阳极中Sn的比率,并提高水洗温度后的工艺能满足实际生产的需要.

关键词: 印制电路板 , 锡/铅电镀 , 电沉积 , 离子污染 , 电迁移

电迁移对Ni/Sn/Ni-P焊点界面反应的影响

陈雷达 , 周少明 , 黄明亮

稀有金属材料与工程

研究了温度为150℃,电流密度为5.0×103A/cm2的条件下电迁移对Ni/Sn/Ni-P(Au)线性接头中界面反应的影响.结果表明电流方向对Ni-P层的消耗起着决定作用.当Ni-P层为阴极时,电迁移加速了Ni-P层的消耗,即随着电迁移时间的延长,Ni-P层的消耗显著增加;电迁移100 h后Ni-P层消耗了5.88 μm,电迁移200 h后Ni-P层消耗了13.46μm.在Sn/Ni-P的界面上形成了一层Ni2SnP化合物而没有观察到Ni3Sn4化合物的存在,多孔状的Ni3P层位于Ni2SnP化合物与Ni-P层之间.当Ni-P层为阳极时,在电迁移过程中并没有发现Ni-P层的明显消耗,在Sn/Ni-P的界面处生成层状的Ni3Sn4化合物,其厚度随着电迁移时间的延长而缓慢增加,电迁移200 h后Ni3Sn4层的厚度达到1.81 μm.

关键词: 电迁移 , Ni-P , Ni , 界面反应 , 金属间化合物

电场对燃烧合成梯度功能材料的影响

安占军 , 陈大军 , 孟庆森

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2005.06.003

采用电场激活自蔓延高温燃烧合成(FASHS)技术制备了致密度高、且晶粒细小的TiC-Fe-Ni系梯度功能材料.外加电场通过焦耳加热效应及电流分配作用使蔓延波自持续下去,克服了SHS的热力学及动力学局限性,提高反应率;试验发现,电场促使梯度过渡层在宏观上呈均匀分布和稳定过渡;反应前沿的成分梯度是传质现象的驱动力,它促使Ni3Ti、Fe5C2的生成.电场通过增加电子和离子的运动速度,加快了离子的交换过程,使反应更加充分,生成物的成分更均匀.

关键词: 梯度功能材料 , 电场 , FASHS , 电迁移

几种无机阴离子的电迁移及其对闭塞区的影响

许淳淳 , 傅晓萍 , 刘幼平

腐蚀学报(英文)

用模拟闭塞电池方法研究了低碳钢/碱性NaCl水溶液体系中央各部委中无机阴离子向塞区的电迁移规律及其对闭塞区的影响,结果 所选阴离子浓度范围内,CrO4^2、MoO^2-、WO4^2-均能向闭塞区内迁移,它们遵循相同的规律,电迁移量随着时间的延长深度的提高而增大,其中WO4^2-行 速度比CrO4^2、MoO4^2-小;添加一定浓度以上的这三种种郭能有效地阻止Cl^-向闭塞区的迁移,浓度越高,效果赵 

关键词: 电迁移 , anions , occluded cors~sion cell , mild steel

几种有机阴离子的电迁移及其对闭塞区的影响

许淳淳 , 傅晓萍 , 刘幼平

中国腐蚀与防护学报

用模拟闭塞电池方法研究了低碳钢/碱性NaCl水溶液体系中 三种有机阴离子十二烷基硫酸根(C12H25SO-4)、十二烷基苯磺酸根(C 12H25C6H4SO-3)和月桂酸根(C12H23OO-)向闭塞区 的电迁移规律及其对闭塞区的影响.结果表明:对内试件通入阳极电流后,在所选阴离子浓 度范围内,C12H25SO-4、C12H25C6H4SO-3和C 12H23OO-均能向闭塞区内迁移,且遵循相同的规律,即电迁移量随其浓度的 提高和通电时间的延长而增大.当有机阴离子的浓度为001 mol·L-1时,三者迁移 量的顺序为:C12H23OO->C12H25C6H4SO-3>C12 H25SO-4;而在浓度为0002、0005 mol·L-1时,三者的电迁移量接 近.C12H25SO-4、C12H25C6H4SO-3和C12H 23OO-均能阻止Cl-向闭塞区的迁移,当有机阴离子的浓度为0002、0005mol·L -1时,三者对抑制Cl-向闭塞区迁移的效果相差不大,当浓度为001mol·L-1 时,抑制Cl-向闭塞区迁移作用最明显的是C12H23OO-,其次是C1 2H25C6H4SO-3,C12H25SO-4的效果最差.这三种 阴离子的迁入对闭塞区溶液pH值影响不大.

关键词: 电迁移 , organic anion , occluded corrosion cell , mil d steel

金属间化合物的形成引发Sn-Bi晶须的生长

何洪文 , 徐广臣 , 郝虎 , 郭福

稀有金属材料与工程

电流密度为3×103 A/cm2和环境温度100 ℃的实验条件下,在Cu/共晶SnBi焊点/Cu焊点的阴极和阳极Cu基板上都发现了晶须的生长.经EDX检测可知,其成分为Sn-Bi的混合物.抛光后发现,大量的Cu6Sn5金属间化合物附着在Cu基板上.结果表明:随着通电时间的延长,SnBi钎料在电迁移的作用下发生了扩散迁移,在Cu基板上形成了薄薄的钎料层.在焦耳热和环境温度的作用下,钎料层中的Sn与Cu基板中的Cu反应生成了大量的Cu6Sn5金属间化合物.这些金属间化合物的形成导致在钎料层的内部形成了压应力.为了释放压应力,Sn-Bi钎料以晶须的形式被挤出.

关键词: 晶须 , 金属间化合物 , 电迁移 , 焦耳热 , 压应力

复合静磁场下BiMn合金凝固中的电迁移

楼磊 , 钟云波 , 任忠鸣 , 阳祥富 , 邓康 , 徐匡迪

中国有色金属学报

为强化电迁移技术的效果,在金属液两端施加恒定电场的同时施加了一个与电流方向平行的稳衡磁场,考察了在磁场作用下BiMn合金中MnBi相的电迁移情况.实验结果表明,在磁场的作用下,MnBi相可以在10A/cm2的电流密度下向阴极发生迁移;当施加的电流密度一定时,MnBi相的偏移率随着磁感应强度的增大而增大,且存在一个临界值;当磁感应强度一定时,只有当电流密度达到一定的值时才能使析出相稳定迁移.

关键词: Bi-Mn合金 , 磁场 , 电场 , 相颗粒 , 电迁移

电迁移引发Cu/SnBi/Cu焊点组织形貌的演变

何洪文 , 徐广臣 , 郭福

稀有金属材料与工程

主要研究电流密度为5×103 A/cm2,室温和高温(100 ℃)条件下共晶SnBi焊点的电迁移特性.结果表明:室温条件通电465 h后,阳极界面处出现Bi的挤出,阴极界面处出现裂纹;而在高温条件下通电115 h后,组织形貌发生了很大的变化.高温加速了阴极钎料的损耗,导致电流密度在局部区域高度集中,从而产生更多的焦耳热,最终引发焊点的熔化.熔融状态下Sn原子与Cu反应,在基体形成大量块状的Cu6Sn5金属间化合物,严重降低焊点的可靠性.

关键词: 电迁移 , 钎料损耗 , 金属间化合物 , 可靠性

电迁移极性效应及其对Sn-3.0Ag-0.5Cu无铅焊点拉伸性能的影响

姚健 , 卫国强 , 石永华 , 谷丰

中国有色金属学报

采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和微拉伸实验,研究Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu对接焊点在不同电迁移时间下阳极、阴极界面金属间化合物(IMC)的生长演变规律及焊点抗拉强度的变化,同时对互连焊点的断口形貌及断裂模式进行分析.结果表明:在电流密度(J)为1.78×104 A/cm2、温度为373 K的加载条件下,随着加载时间的延长,焊点界面IMC的生长呈现明显的极性效应,阳极界面IMC增厚,阴极界面IMC减薄,且阳极界面IMC的生长符合抛物线规律;同时,互连焊点的抗拉强度不断下降,焊点的断裂模式由塑性断裂逐渐向脆性断裂转变,断裂位置由焊点中心向阴极界面处转移.

关键词: 界面化合物 , 电迁移 , 极性效应 , 抗拉强度 , 断裂

管脚无铅覆层的Sn晶须问题

吴懿平 , 刘一波 , 吴丰顺 , 安兵 , 张金松 , 陈明辉

功能材料

Sn镀层表面在某些情况下会长出长达数百微米的晶须,在电子器件服役过程中会导致电路短路等严重的可靠性问题.目前普遍认为内部压应力是导致Sn晶须生长的主要动力之一;晶须生长所需的Sn原子主要以扩散方式或位错运动方式提供,而温度因素既影响原子扩散速度,又影响镀层的应力松弛.预镀Ni或者预先热处理以形成扩散阻挡层来抑制晶须生长的方法较为常用.温度循环是加速晶须生长的一种有效手段.

关键词: 晶须 , 无铅 , 可靠性 , 电迁移 , 封装

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