宋启祥
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蔡之让
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王桂英
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严国清
低温物理学报
研究了La位Gd掺杂对La0.7-xGdxSr0.3MnO3(x=0.20,0.30,0.40,0.50)体系的电阻温度系数(TCR)的影响.实验结果表明:Gd掺杂将引起电阻率曲线的急剧变化,导致出现大的TCR;而且随Gd掺杂的增加,TCR在x=0.30出现峰值,然后随掺杂量增加逐步降低.体系出现大的TCR,来源于Gd掺杂引起的额外磁性耦合.
关键词:
电阻温度系数
,
额外磁性耦合
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电阻温度系数
崔琦
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张辉
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王文章
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张斌
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罗均美
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陈清明
人工晶体学报
采用溶-凝胶法在1450 ℃烧结12 h的条件下,制备了x组分为0、0.01、0.03、0.05、0.06、0.07的La0.67(Ca0.33-xSrx)MnO3 (LCSMO)多晶陶瓷,通过R-T、XRD和SEM测试分析,结果表明,溶胶-凝胶方法制备的LCSMO多晶陶瓷其物相较纯,阻温特性良好,晶粒尺寸大,致密度高.在未掺Sr时,该体系电阻温度系数(TCR)达到最高值42.5％.随着Sr掺杂比增加,金属-绝缘体转变温度TP升高,TCR降低,而在TP达到室温时,LCSMO多晶陶瓷具有较大的TCR(9％以上).在LCSMO多晶体系中如此大的TCR较为罕见,使其具有重要的潜在应用价值.
关键词:
La0.67(Ca0.33-xSrx)MnO3
,
溶胶-凝胶法
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电阻温度系数
,
金属-绝缘体转变
马扬昭
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谢中
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周艳明
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夏丰金
,
冯双磊
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李科
材料导报
在N2、Ar气氛中,采用反应直流磁控溅射法在Al2O3基陶瓷及玻璃基底上制备了Ta-N薄膜,并对各样品的形貌结构、化学组分及电学特性进行了比较分析研究.结果表明,沉积于Al2O3陶瓷及玻璃基底的Ta-N薄膜分别呈团簇状生长与层状紧密堆积生长；Al2O3陶瓷基底沉积的Ta-N为单相薄膜,而玻璃基底上的Ta-N薄膜,随N2、Ar流量比增加,呈单相向多相共存转变；薄膜表面形貌和微结构与基底材料的原始形貌和微结构紧密相关,这说明基底材料对薄膜的形成有重要的影响；N2、Ar流量比相同时,玻璃基底上沉积的Ta-N薄膜电性能优于Al2O3基陶瓷基底上沉积的Ta-N薄膜.
关键词:
Al2O3基陶瓷基底
,
玻璃基底
,
Ta-N薄膜
,
反应磁控溅射
,
氮分压
,
电阻温度系数
马维刚
,
王海东
,
曹炳阳
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张兴
工程热物理学报
由于尺寸效应和晶界效应的影响,纳米薄膜在导电和导热方面呈现出与体材料不同的性质.本文实验研究了不同厚度(20～54 nm)金薄膜在不同温度(100～340 K)的导电、导热性质.测量结果显示,薄膜的电导率和热导率比体材料小,洛伦兹数比体材料大,Wiedemann-Franz定律不再成立.随着厚度增加,薄膜的电导率,热导率和电阻温度系数都增加.薄膜热导率随温度变化趋势与体材料相反,随着温度升高而升高.电导率随温度变化趋势与体材料相同,随着温度升高而降低;但薄膜没有体材料对温度变化敏感,导致电阻温度系数下降.
关键词:
金纳米薄膜
,
热导率
,
电导率
,
电阻温度系数
,
洛伦兹数
吴淼
,
胡明
,
张之圣
,
刘志刚
,
温宇峰
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.01.004
以V2O5粉末为原料,采用真空蒸发结合真空热处理方法制备VOx薄膜,运用XRD(X射线衍射)和SEM(扫描电子显微镜)技术分析了基片材料、基片温度、真空热处理工艺对氧化钒薄膜结晶状态、物相组成和表面形貌的影响,在基片温度为200℃和400℃时所沉积的氧化钒薄膜在室温附近的电阻温度系数(TCR)分别达到-3%,并发现随着基片温度的升高,薄膜在室温附近的电阻率降低,TCR绝对值减小.
关键词:
V2O5
,
真空蒸发
,
VOx薄膜
,
电阻温度系数
朱绍将
,
刘翔
,
彭巨擘
,
严磊
,
张鹏翔
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2003.04.010
用脉冲激光溅射(PLD)法在LaAlO3(100)单晶衬底上制备了掺4.0 wt%Ag的超巨磁电阻材料La0.67Ca0.33MnO3薄膜.在氧气氛中经高温处理后薄膜显示了近室温的金属-绝缘体相变点(TMI≈300 K),与通常提高TMI的结果相比较,此工艺较好地保持了材料相变点区间的陡度,且电阻温度系数(TCR)在此区内仍达到8%.这为制造近室温磁敏感元件、自旋电子学器件、辐射热探测器等提供了重要材料.
关键词:
低维金属材料
,
超巨磁电阻
,
金属-绝缘体相变
,
电阻温度系数
高翔
,
马吉
,
张辉
,
Mya Theingi
,
杨盛安
,
陈清明
稀有金属材料与工程
采用溶胶-凝胶法制备了La0.75Ca0.25MnO3多晶靶材,并用紫外脉冲激光沉积法(PLD)在LaAlO3(100)单晶衬底上制备了La0.75Ca0.25MnO3外延薄膜.采用XRD测试了薄膜的晶体结构和生长取向,测试了薄膜(200)衍射峰摇摆曲线并分析了薄膜的结晶质量.利用原子力显微镜(AFM)表征了薄膜表面形貌,并利用四探针法测试了薄膜的电阻-温度(R-T)曲线.实验结果显示薄膜结晶质量较好,并沿c轴择优生长,且生长方式为层状生长.薄膜的绝缘体-金属转变温度(T1M)达到270 K以上,电阻温度系数(TCR)高达10％.
关键词:
La0.75Ca0.25MnO3
,
多晶
,
薄膜
,
脉冲激光沉积
,
电阻温度系数
蒋红生
,
黄英
,
杨庆华
,
高峰
,
刘平
功能材料
以炭黑（CB3100）为导电相,硅橡胶为基质制备导电复合材料。研究导电橡胶中炭黑质量分数对电阻温度系数的影响,并用填料对电阻温度系数的影响。以隧道效应理论为基础,给出了导电炭黑填充橡胶的电阻温度系数计算模型,结合实验得到温度对导电炭黑/硅橡胶电阻温度系数的影响主要体现在对其电阻率的影响;基体的体积热膨胀提高复合材料的电阻率,提高了正电阻温度系数;炭黑粒子间的隧道效应降低复合材料的电阻率,增强了负电阻温度系数;在炭黑/硅橡胶中加入少量碳纳米管,利用碳纳米管和炭黑的协同补强效应,使复合材料的导电性和稳定性提高。
关键词:
导电橡胶
,
隧道效应
,
电阻温度系数
,
碳纳米管
,
协同效应
尹俊美
,
万吉高
,
黄炳醒
,
廖微
,
武海军
,
杨丽娟
,
申丽琴
贵金属
采用特制的冷却结晶器制备出了细小等轴晶的钯铁合金铸锭，利用差热分析研究了钯铁合金的有恅化转变规律，以及有恅化转变对合金电学性能的影响，结果表明，Fe含量为15%~25%的PdFe合金中存在Pd3Fe有恅相，合金在750~850℃范围内发生有恅相转变，保温9 h有恅化转变基本完成，Φ0.02 mm的Pd3Fe有恅相合金细丝的电阻温度系数高达(6150~7650)×10-6/℃。
关键词:
金属材料
,
钯铁合金
,
有恅化转变
,
Pd3Fe有恅相
,
电阻温度系数
,
气敏元件
