李琳琳
,
李爱军
,
彭雨晴
,
李照谦
,
汤哲鹏
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2016.04.002
阐述了BN界面的优异性能和CVD制备工艺的优缺点,主要介绍了CVD-BN制备过程中沉积温度、源气体比例、热处理温度等各因素的影响,指出CVD法是制备高品质BN界面涂层的优选方法.优化CVD工艺,对其制备原理进行深入研究,将是BN界面涂层研究的重点,获得特定结构、性能稳定、厚度可控的BN界面相涂层是CVD法制备BN界面相涂层的难点.
关键词:
界面相涂层
,
氮化硼
,
化学气相沉积
,
三氯化硼
,
氨气
