李春龙
,
沈益军
,
杨德仁
,
马向阳
,
余学功
,
阙端麟
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.03.011
系统介绍了直拉重掺硼(B)硅单晶研究的最新进展.主要内容包括重掺B硅单晶的基本性质,利用重掺B籽晶进行无缩颈硅单晶生长技术,重掺B硅单晶的机械性能,重掺B硅单晶中的氧和氧沉淀,以及B的大量掺杂与大直径直拉硅单晶中空洞型(Void)原生缺陷的控制关系.在此基础上,探讨了当前直拉重掺B硅单晶生产和研究中存在的主要问题.
关键词:
直拉硅
,
重掺硼
,
氧
,
缩颈
杨帅
,
陈贵锋
,
王永
硅酸盐通报
利用Fourier变换红外光谱技术研究了高剂量快中子辐照直拉单晶硅中的辐照缺陷.研究表明,当中子剂量超过1018n·cm-2,在硅晶体会引入大量的非晶区和少量的非晶层(由连续的非晶区组成),分别在FTIR光谱中引入485和529.2 cm-1两个吸收带.退火实验表明,非晶区(485 cm-1)经150℃热处理后开始再结晶,有效的退火温度约为300℃;非晶层(529.2 cm-1)经300℃热处理后开始再结晶,有效的退火温度为500℃左右.
关键词:
直拉硅
,
中子辐照
,
非晶区
,
空位型缺陷
杨帅
,
邓晓冉
,
徐建萍
,
陈贵锋
,
张辉
硅酸盐通报
本文通过红外吸收光谱技术研究了不同剂量快中子辐照直拉硅中空位氧缺陷(A中心)的退火行为.实验发现,经200℃热处理后样品中均会出现V2O (840 cm-1)和VO2 (919.6 cm-1)的红外吸收峰；当退火温度升高到400至450℃之间,在低剂量辐照样品(SL)的红外吸收光谱中会有较强的VO2 (889 cm-1)的吸收峰,而在高剂量辐照样品(SH)中则会有较强的V2O2(825 cm-1)和VO2(919.6 cm-1)的吸收峰.分析认为,在低剂量辐照样品中VO主要是通过与Oi结合形成稳定的VO2而消失；而在高剂量辐照条件下VO则是通过相互结合形成V2O2或与Oi结合形成VO2而消失.
关键词:
直拉硅
,
中子辐照
,
缺陷
,
A中心
