卞铁荣
,
李虹艳
,
卢正欣
,
高坤
,
井晓天
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2006.09.004
采用镶嵌靶、通过直流磁控溅射法在不加热的情况下于硅基片上制备了Ti-49.57%Ni-5.6%Cu合金薄膜.XRD图谱表明,该薄膜为非晶态.对其进行的退火晶化后的形状记忆性能研究发现:薄膜分别经550℃×0.5 h、650℃×0.5 h晶化处理后无残余塑变存在下的最大恢复应力、最大恢复应变分别为180 MPa、2.7%;90 MPa、1.4%.
关键词:
硅基片
,
直流磁控溅射
,
TiNiCu薄膜
,
非晶态
,
晶化
,
退火
,
形状记忆
,
恢复应力
,
恢复应变
陆峰
,
徐成海
,
闻立时
,
曹洪涛
,
裴志亮
,
孙超
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2005.07.002
为了对比研究不同透明衬底上ZnO:Al(ZAO)薄膜的性能,采用直流反应溅射法制备薄膜,并对其作EDS、XRD和电学测试分析.结果表明:所制备的ZAO薄膜具有典型的ZnO晶体结构;沉积在玻璃基片上的ZAO薄膜,Al,O含量高于沉积在透明聚酯塑料基片上的,而Zn的含量则相反;在两种衬底上获得的ZAO薄膜电阻率分别为4.5×10-4Ω*cm和9.73×10-4Ω*cm,可见光透射率分别达到87.7%和81.5%.由此可见:用直流反应磁控溅射法在不同衬底上都能获得可见光透射率达到80%以上的ZAO薄膜;相比而言,在玻璃衬底上获得的ZAO薄膜电阻率低,而在透明聚酯塑料上沉积的ZAO薄膜透射性好.
关键词:
ZAO薄膜
,
衬底
,
直流磁控溅射
,
性能
,
XRD衍射分析
,
电阻率
,
透射率
陈尔东
,
王聪
材料科学与工程学报
用直流磁控溅射技术在玻璃基底上沉积TiNxOy薄膜.应用XRD与SEM表征了TiNxOy,薄膜的晶化程度及表面形貌.在室温下300～900 nm的波长范围内测量了薄膜的透射光谱,并根据"包络法"理论,计算了薄膜的光学常数.结果表明,随着入射波长的增加,薄膜的折射率n先减小后再增加;消光系数k单调增加;而吸收系数变化平缓.由"包络法"和Tauc关系确定TiNxOy,薄膜的光学能隙约为2.213 eV.
关键词:
直流磁控溅射
,
TiNxOy
,
薄膜
,
光学特性
,
包络法
朱锋
,
薛玉明
,
孙建
,
赵颖
,
耿新华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.034
采用孪生ZnO(Al2O3:2%)对靶直流磁控溅射制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜(迁移率为5.56 cm2/V·s,载流子浓度为4.57×1020cm-3,电阻率为2.46×10-3Ω·cm,可见光范围(380～800nm)平均透过率大于85%).用酸腐蚀的方法,可以获得绒面效果,而反应气压对绒面效果没有影响,薄膜的电学特性没有变化,绒面对光散射作用增强,导致相对于平面ZnO薄膜的透过率要低一些(可见光范围平均透过率大于80%).
关键词:
孪生对靶
,
直流磁控溅射
,
ZnO
,
透明导电薄膜
,
绒面
徐淑艳
,
马欣新
,
孙明仁
,
方丽红
稀有金属材料与工程
采用直流磁控溅射法制备了B-C-N薄膜.通过改变基体偏压,研究其对薄膜的成分、结构和力学性能的影响.X射线光电子谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)试验结果表明薄膜中存在着B-C,B-N,C-C和C-N键,说明薄膜中B,C,N 3种元素达到了原子级化合.随基体偏压增大,薄膜无序化程度增强.纳米硬度测试结果表明,随着基体偏压的增,纳米硬度和弹性模量不断增加.
关键词:
BCN薄膜
,
直流磁控溅射
,
组织结构
,
性能
孟超
,
王文文
,
顾宝霞
,
曹晔
,
刁训刚
,
康明生
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.018
利用直流磁控溅射法, 在室温玻璃衬底上制备了具有良好附着性的多晶ZnO∶ Al(ZAO)薄膜. 比较了室温下获得的薄膜与衬底加热条件下所得薄膜的结晶程度, 研究了厚度对室温条件下制备的ZAO薄膜表面形貌、电学性能及紫外-可见-近红外光区透光性的影响. 结果表明, 室温条件下制备的ZAO薄膜也具有(002)面择优取向, 随着膜厚的增加薄膜晶粒化程度提高, 载流子浓度和迁移率增大, 电阻率下降, 薄膜在紫外光区的吸收边发生红移, 在可见光区的平均透过率降低, 在近红外光区的透过率随厚度的增加而减小. 厚度为1200 nm的ZAO薄膜具有最佳光电综合性能, 其电阻率为7.315×10~(-4) Ω·cm, 方块电阻为6.1 Ω/□, 可见光区平均透过率达到82%, 波长为550 nm处的透过率为87%.
关键词:
直流磁控溅射
,
ZnO
,
Al薄膜
,
透明导电薄膜
,
光电特性
花银群
,
朱爱春
,
陈瑞芳
,
郭立强
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.014
采用直流磁控溅射法,以高纯铝(99．99％)为靶材,高纯氩气(99．999％)为起辉气体,在经机械抛光的单晶 Si 衬底上制备铝纳米颗粒薄膜.利用 X 射线衍射仪(XRD)、光学薄膜测厚仪、扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪分别测试了铝纳米颗粒薄膜的晶相结构、薄膜厚度、表面形貌及电阻率.XRD 衍射图谱表明此薄膜为面心立方的多晶结构,择优取向为Al(111)晶面.随溅射功率由30 W 增至300 W,铝纳米颗粒薄膜的沉积速率由3．03 nm/min 增加至20．03 nm/min；而随溅射压强由1 Pa 增加至3 Pa,沉积速率由2．95 nm/min 降低到1．66 nm/min.在溅射功率为150 W,溅射压强为1．0 Pa 条件下制备的样品具有良好的晶粒分布.随溅射功率从80 W 增大到160 W,样品电阻率由4．0×10－7Ω· m 逐渐减小到1．9×10－7Ω·m；而随溅射压强从1 Pa 增至3 Pa,样品电阻率由1．9×10－7Ω·m 增加到7．1×10－7Ω·m.
关键词:
直流磁控溅射
,
铝纳米颗粒薄膜
,
沉积速率
,
微结构
,
电阻率
陈小焱
,
王璟
,
丁雨田
功能材料
运用直流磁控溅射法,采用ZAO陶瓷靶材(Al2O3相对含量2％(质量分数)),结合正交实验表通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参数,在普通玻璃衬底上制备得到ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计、四探针测试仪对样品的晶体结构、表面形貌、光电性能进行表征分析.通过正交分析法得出直流磁控溅射法制备ZAO薄膜的最佳组合工艺为基片温度200℃,溅射功率40W,氧流量百分比20％,退火温度400℃,获得薄膜样品最低方块电阻11Ω/(口),薄膜具有最好的发光性能,适合作为薄膜太阳电池的透明导电电极.
关键词:
ZAO薄膜
,
直流磁控溅射
,
正交实验
,
光电性能
郁操
,
侯国付
,
刘芳
,
孙建
,
赵颖
,
耿新华
人工晶体学报
本文采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并通过后续退火温度的优化得到了单一相高质量的β-FeSi2薄膜.结果表明,在本实验条件下得到的未掺杂的β-FeSi2薄膜在室温下是n型导电的,其电学特性存在一个退火温度的最优点:800 ℃.而且在这个最佳温度点上,在Si(111)衬底上外延得到的薄膜载流子迁移率比在Si(100)上高出了一倍多.在上述研究的基础上,采用p-Si(111)单晶片作为外延生长β-FeSi2薄膜的衬底,并通过退火温度和薄膜厚度的优化制备出了国内第一个n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池,其Jsc=7.90 mA/cm2 ,Voc=0.21 V,FF=0.23,η=0.38%.
关键词:
β-FeSi2薄膜
,
直流磁控溅射
,
退火温度
,
异质结太阳电池
