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王云生 , 张绵 , 赵静 , 白锡巍
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.020
介绍一种GaAs单片超高速模拟开关IC的设计和制备.电路设计采用了独特的开关管导通时栅-源电压跟随和开关管关断时栅-源电压箝位的电路,使开关获得良好的线性和3ns的开启和关断超高速特性,满足了毫微秒脉冲相关信号的处理要求.
关键词: 砷化镓 , 模拟开关 , 集成电路 , 相关器
