杨萍
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王宙
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付传起
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张庆乐
材料保护
在真空蒸镀多晶硅薄膜中掺入杂质可改善膜的微结构及电特性,目前有关基板距离对所得膜层的影响研究不多.采用真空蒸镀掺杂锗的方法制备出多晶硅薄膜;通过扫描电镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪等研究了基板距离对掺锗多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响.结果表明:随着基板距离的增大,薄膜的晶粒尺寸和晶化率均呈现出先增大后减小的相似趋势;当基板距离为90 mm时,晶粒尺寸显著增大,最大达到0.8 μm左右,多晶硅薄膜晶粒形貌、结构性能最好,且具有较高的结晶度,薄膜的晶化率最高可达到85.10％.
关键词:
真空蒸镀法
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多晶硅薄膜
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组织
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形貌
,
晶粒尺寸
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基板距离
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锗掺杂
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晶化率
黄剑锋
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王艳
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曹丽云
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吴建鹏
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贺海燕
稀有金属材料与工程
采用真空蒸镀法在Si(111)基板上制备了ZnS光学薄膜,并系统研究了蒸发温度、沉积时间、基板距蒸发源的位置等因素对所制备薄膜物相及显微结构的影响.用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对制备的薄膜进行了表征.结果表明:制备薄膜的物相主要以β-znS闪锌矿(Sphalerite)为主,并有少量的α-ZnS纤锌矿(Wurtzite),薄膜具有(111)结晶取向的生长特征.当沉积温度为1200℃时,所制备薄膜的结晶性能较好,随沉积时间延长,薄膜的结晶性能降低.
关键词:
ZnS薄膜
,
真空蒸镀法
,
蒸发温度
