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退火温度对Bi2Te2.7Se0.3薄膜的微结构及热电性能的影响

段兴凯 , 江跃珍 , 宗崇文 , 侯文龙

材料科学与工程学报

采用瞬间蒸发技术在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的N型Bi2Te2.7Se0.3热电薄膜,并在373 K~573 K进行1小时的真空退火处理。利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能量散射谱(EDS)分别对薄膜的物相结构、表面形貌以及化学计量比进行表征。采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用四探针法在室温下进行测量,在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征。霍尔系数,电子浓度和迁移率在300 K用Van der Pauw方法进行测量。退火温度为473 K时,电阻率和Seebeck系数分别为2.7 mΩ.cm和?180μV/K,热电功率因子最大值为12μW/cmK2。

关键词: 退火温度 , 热电薄膜 , 热电性能 , 瞬间蒸发法

膜厚对N型Bi2Te2.85Se0.15薄膜热电性能的影响

段兴凯 , 江跃珍

材料科学与工程学报

采用瞬间蒸发技术沉积了N型Bi2 Te2.85 Se015热电薄膜,沉积的薄膜厚度在50~400nm范围之间,并在473K进行1小时的真空退火处理.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和能量散射谱(EDS)分别对薄膜的物相结构、表面形貌以及化学计量比进行表征.XRD分析结果显示,薄膜的主要衍射峰与Bi2 Te3和Bi2 Se3的标准衍射峰一致,沉积薄膜的最强衍射峰为(015),退火后,薄膜的最强衍射峰是(006).采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用.四探针法在室温下进行测量,在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征.测试结果表明,薄膜为N型传导特性.并考察了薄膜厚度对电阻率及Seebeck系数的影响.

关键词: Bi2Te2.85Se0.15 , 薄膜厚度 , 电阻率 , Seebeck系数 , 瞬间蒸发法

N型Bi2Te2.5Se0.5热电薄膜的电阻率与膜厚和温度的关系

段兴凯 , 杨君友 , 朱文 , 肖承京

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.06.015

在玻璃衬底上通过瞬间蒸发法沉积了厚度为50-400nm的N型Bi2.5Se0.5热电薄膜,沉积温度为473K.采用XRD、EDXA和FESEM技术分别对薄膜的相结构、组成和表面形貌进行了分析研究,在300-350K的温度范围内,研究了薄膜的电阻率与膜厚和温度的相互关系.

关键词: 电阻率 , Bi2Te2.5Se0.5薄膜 , 瞬间蒸发法

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