张云龙
,
张瑞霞
,
冯元亮
,
陈斌
,
王丹
,
张海杰
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2010.06.007
采用热压烧结技术成功制备Cp/SiC基复合材料,并对其进行短时间低温氧化行为研究.针对不同碳粉含量的Cp/SiC复合材料,分析氧化处理过程对其相组成、氧化层结构以及质量损失行为的影响.研究结果表明,随着碳粉含量增加,氧化层表面的孔洞尺寸和深度均呈现出增加的趋势.氧化层与碳化硅基体的分界清晰,无过渡区,不能形成致密氧化层,反应氧化层厚度也逐渐增加.添加碳粉不利于SiC基复合材料的抗氧化性的改善.
关键词:
短期氧化
,
碳化硅基复合材料
,
质量损失行为
