曾云
,
李晓磊
,
张燕
,
张国樑
,
王太宏
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.018
提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阚值电压的特性曲线.通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求.
关键词:
短沟道
,
绝缘衬底上硅
,
双极MOS场效应晶体管
,
阈值电压
