王洪涛
,
王茺
,
胡伟达
,
杨洲
,
熊飞
,
杨宇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.003
本文基于亚阈值电流和表面势模型的基础上,采用商用器件模拟软件,建立了短沟道n-MOSFET的结构和物理模型,对器件的亚阈值电流进行了2-D数值模拟.计算了不同沟道掺杂浓度、氧化层厚度以及沟道长度对器件亚阚值电流的影响,并对模拟结果进行了系统的理论分析,数值模拟结果和解析模型能够在亚阈值区很好的吻合.
关键词:
短沟道n-MOSFET
,
亚阈值电流
,
解析模型
,
数值模拟
