高宇
,
周旗钢
,
戴小林
,
肖清华
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.05.001
采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300 mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟,模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象.针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变,以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方程,考虑了硅单晶的各向异性,计算了＜100＞硅单晶生长过程中晶体内von Mises应力分布和变化规律,结果表明在等径生长阶段热应力上升最显著,界面上方晶体内热应力随晶体生长速率增大而升高.
关键词:
热应力
,
模拟
,
300 mm
,
硅单晶
滕冉
,
戴小林
,
徐文婷
,
肖清华
,
周旗钢
人工晶体学报
通过对28英寸热场生长300 mm硅单晶过程中结晶速率、固液界面形状、晶体中热应力及晶体中氧含量的数值计算提出了在该热场条件下热屏的优化方案.数值计算结果表明:对热屏底端与晶体表面和熔体自由液面的距离以及热屏材料(优化前热屏使用单一石墨材料,优化后采用辐射率较高的内壁材料结合反射率较高的外壁材料组成复合式热屏)的优化可以减少主加热器对晶体的热辐射使得固液界面更加平坦,藉此增加结晶速率,减小晶体内热应力和熔体中氧含量.
关键词:
硅单晶
,
数值模拟
,
热屏
,
固液界面
关小军
,
王进
,
张向宇
,
曾庆凯
人工晶体学报
为了研究硅单晶直拉法生长过程中双空洞的长大动力学以及空洞间的相互作用机理,采用已建立的空洞演化的相场模型及其应用程序,模拟研究了直拉硅单晶生长过程中双空洞演化和相关因素的影响规律.结果表明:所建相场模型能够有效地模拟基体中空位扩散和双空洞长大的过程;双空洞长大趋势随着模拟时间和初始空位浓度的增强而加强;随着空洞初始中心间距的增加和初始空位浓度的减小,双空洞长大由相互融合模式转变为独立长大模式.
关键词:
硅单晶
,
直拉法生长
,
相场模拟
,
双空洞
,
长大动力学
王进
,
关小军
,
曾庆凯
,
张向宇
人工晶体学报
为了获得硅单晶中空位团的形成能以及有关因素的影响规律,采用分子动力学方法进行了模拟计算和分析,揭示了模型体系大小、空位团构型和空位数目对空位团形成能的影响规律和机理.结果表明:总体上,模型体系大小和空位团构型对空位团形成能的影响不大；3 ×3 ×3模型更适合于硅单晶空位形成能的计算和分析；当空位数目≤5时,最小空位团形成能随空位数目增大而线性增加；空位团形成能实质上主要取决于所需破坏的Si-Si键数目及键能.
关键词:
硅单晶
,
形成能
,
空位团
,
分子动力学
朱亮
,
周旗钢
,
戴小林
,
张果虎
,
曹建伟
,
邱敏秀
人工晶体学报
集成电路用12英寸硅单晶生长过程中,为满足晶体生长界面附近温度梯度的要求,需要测量并控制晶体生长过程中硅熔体液面位置.传统的设定坩埚上升速度和激光测距的方法有时不能适应直拉硅单晶生长技术的发展.本文提出并实现了一种采用CCD图像捕捉和测量液面位置的方法,结合调节坩埚上升速度来控制液面高度,最终可以满足生长集成电路用12英寸硅单晶的需要.
关键词:
直拉法
,
硅单晶
,
液面位置
刘桂荣
,
李怀祥
,
陈燕生
,
段淑贞
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.005
用电阻率测量、金相观察以及红外光谱等方法分别研究了氢区熔硅单晶在轻水反应堆和重水反应堆进行中子辐照后的退火特性.电阻率退火曲线表明,两种中子辐照样品都存在氢致施主.随着退火温度由低到高,轻水堆辐照样品存在一个导电类型由p型到n型的转型过程,而且在这种转型过程中,有一个明显的"周边滞后"现象.在重水堆辐照样品中,热处理缺陷表现为氢致Φ型缺陷 (大麻坑),而在轻水堆辐照样品中,热处理缺陷表现为尺寸小得多的氢沉淀.红外光谱测量结果表明,重水堆中子辐照的样品经短时退火后观察不到氧沉淀,而在轻水堆辐照样品中存在吸收峰在1230 cm-1附近的氧沉淀.
关键词:
热退火特性
,
中子辐照
,
硅单晶
