闫晗
,
柳丽芬
,
杨凤林
,
张扬
膜科学与技术
doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2010.05.018
应用动态膜技术回收半导体厂晶片切割废水,研究了动态膜的形成条件及其水处理效果.通过恒压过滤形成动态膜:恒压过滤压差5 kPa,曝气强度10 L/min,过滤高浓度(TS＝1 800 mg/L)含硅废水,形成了均匀而阻力较小的动态膜;之后在一定的过滤运行条件下,研究膜过滤低浓度晶片切割废水的运行周期和水处理效果:要处理的废水TS(总固形物)=40mg/L,恒速过滤滤速为0.6 m/d,曝气量为15 L/min.结果表明:该动态膜可保护基膜不被污染,维持较长的过滤周期,稳定运行时间达260～360 h.膜过滤单元中的TS(总固形物)可被浓缩达到1 200 mg/L.动态膜对原水浊度、TS的去除效果很好,产水水质稳定,浊度为0.14NTU,TS几乎为0,SDI15为0.5,电导率为12μS/cm,满足反渗透深度处理的进水要求.当压力上升至14 kPa时,排出浓缩液、用产水冲刷清洗基膜表面的滤饼层,以回收高纯硅,同时基膜经过擦洗后通量可以完全恢复.
关键词:
动态膜
,
微滤
,
半导体废水
,
硅回收
李佳艳
,
王浩洋
,
谭毅
,
董伟
功能材料
采用HF酸浸蚀沉降的方法回收单晶硅切割废浆料中的硅粉。系统地研究了在回收硅粉过程中,HF酸的浓度,HF酸处理的时间,以及在HF酸浸蚀沉降处理前的超声震荡时间等实验条件对回收率和纯度等性能的影响因素。研究表明,在HF酸浓度为2%,HF酸处理时间24h,超声震荡时间60min的条件下,回收得到的粉体中硅的纯度可以达到82%（质量分数）,且回收率可以达到62%的水平。通过此方法可以实现从切割废浆料中回收硅粉。
关键词:
切割废浆料
,
HF酸
,
浸蚀
,
硅回收
