石松
,
杨明
,
孔磊
,
赵彤
,
张大海
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2011.01.009
利用三乙炔基苯基苯(TEPHB)对聚硅乙炔(PSA)进行改性,成功制备了一种新型芳炔基舍硅杂化树脂(PSA-E),并使用该树脂基体制备了玻璃纤维增强复合材料.表征结果指出PSA-E树脂兼具良好的工艺性能与优异的耐高温性能,该树脂的固化过程较为温和且易于控制,其固化物的Td5高于500℃,900℃残重率大于89%(氮气条件下).玻璃纤维增强PSA-E基复合材料的力学性能较PSA基复合材料有较大幅度的提高.
关键词:
硅基
,
乙炔基
,
树脂
,
复合材料
章诗
,
王小平
,
王丽军
,
朱玉传
,
林石裕
,
顾应展
,
田健健
,
周成琳
材料导报
综述了目前国际上研究得最多的几种薄膜太阳能电池材料的研究现状和各自的最新进展.包括硅基类(非晶硅、多晶硅、微晶硅)、无机化合物类(碲化镉、铜铟硒、砷化镓)、有机类、染料敏化(二氧化钛、氧化锌)等,并从材料、工艺和转换效率等方面比较和讨论了它们各自性能的优劣,最后展望了这些薄膜太阳能电池材料未来的研究方向及应用前景.
关键词:
薄膜太阳能电池
,
硅基
,
化合物
,
染料敏化
叶志镇
,
张昊翔
,
赵炳辉
,
王宇
,
刘红学
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.001
采用反应蒸发法在提高了缓冲层的生长温度,通过对Si基上GaN样品缓冲层区域的高分辨透射电镜像(HRTEM)和界面区域的选区电子衍射(SAED)分析的基础上,提出了本系统GaN外延的晶体学位相关系和生长机理.GaN与Si衬底之间存在着下列的晶体学位相关系:GaN<0001>∥Si<111>,GaN<110>∥Si<110>.GaN外延生长首先在硅衬底上形成GaN晶核,生长出GaN多晶缓冲层,GaN多晶层在随后的高温保温过程中重新结晶为择优取向的GaN微单晶层,最后以这种微单晶层为模板进行晶体大面积的二维生长.同时还发现较高的缓冲层温度也明显提高了GaN外延层的结晶质量.
关键词:
氮化镓
,
硅基
,
外延
,
位相关系
,
生长机理
马圆
,
范崇飞
,
武建刚
金属功能材料
本文从探究专利分布和布局的角度出发,选择硅基太阳能电池作为主题,通过标准的检索方式,使用关键词并结合国际专利分类号,对中国专利检索数据库中的中国发明专利申请进行了全面的检索,得到相关的发明专利申请,对上述数据进行细致的手工筛选分类,并作了深入的研究分析,揭示了我国硅基太阳能电池领域内发明专利申请的当前状况和未来的发展趋势.
关键词:
硅基
,
太阳能
,
光伏
,
专利布局
,
核心专利
李群
,
徐小华
,
吕波
,
方诚
功能材料与器件学报
采用双离子束共溅射沉积方法制备了两种复合硅基薄膜SiOxCy和SiOxNy薄膜,对两种薄膜进行后退火处理,并分别对样品进行PL、FTIR、XPS谱测试分析,比较退火前后的发光及结构的变化.两种样品的光致发光测试谱(PL)表明:退火前后都有两个发光峰位-都存在470nm的发光峰位,它来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化.进一步的FTIR和XPS的测试谱表明另外一个发光峰位420nm(SiOxCy薄膜)和400nm(SiOxNy薄膜)分别来自于掺杂杂质(C和N)与硅基薄膜中的Si、O组成的复合结构.而两种样品经过退火处理后掺杂所引起的发光峰位强度随退火温度的升高而增强,说明退火温度的升高有利于发光机制的形成.
关键词:
掺杂
,
硅基
,
退火
,
光致发光
成步文
,
薛春来
,
罗丽萍
,
韩根全
,
曾玉刚
,
薛海韵
,
王启明
材料科学与工程学报
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×105 cm-2.原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的.
关键词:
硅基
,
Ge
,
外延
