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低介电常数硅基薄膜后处理的研究进展

何志巍

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2010.03.010

综述了近年来国际上低介电常数纳米多孔SiOx薄膜材料的发展状况,重点论述了其后处理原理及工艺、材料结构特点及存在的缺陷,分类指出了后处理方法对材料改性的影响及存在的问题,同时提出了未来的研究方向和发展前景.

关键词: 低介电常数 , 纳米多孔材料 , 硅基氧化物 , 溶胶-凝胶

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