屠海令
,
王磊
,
杜军
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.04.001
金属硅化物广泛用于微电子器件中的源、漏、栅极与金属电极间的接触,是制备纳米集成电路的关键材料之一.本文叙述了半导体集成电路用功能金属硅化物的相组成、界面反应和形成机制以及热蒸发、离子注入、溅射沉积、分子束外延等多种制备技术.比较了TiSi2,CoSi2,NiSi的材料性质及其对不同技术节点集成电路性能的影响.分析了退火温度与NiSi晶体结构和晶格常数间的关系.阐述了稀土金属硅化物的生长工艺和与硅衬底间势垒及界面特性.讨论了上述金属硅化物的性能评价与缺陷,热稳定性的检测方法.分析认为,探索32nm及以下技术节点极大规模半导体集成电路用新型金属硅化物已成为今后研究的主攻方向.
关键词:
金属硅化物
,
性质
,
检测
,
缺陷
,
硅技术
屠海令
,
杜军
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.03.001
二氧化硅由于具有良好的绝缘性能及稳定的硅/二氧化硅界面而长期用于硅集成电路的制备.然而对于纳米线宽的集成电路,需要寻找新的高介电常数(高k)的栅极介质材料代替二氧化硅,以保持一定的物理厚度和优良的耐压及漏电性能.这些栅极候选材料必须有较高的介电常数,合适的禁带宽度,高质量的表面形貌和热稳定性并与硅衬底间有良好界面.此外,其制备加工技术最好能与现行的硅集成电路工艺相兼容.本文从固体物理和材料科学理论出发,阐述选择高k栅介质材料的基本原则,介绍目前研究的材料体系、制备方法、材料性能以及界面稳定性,并展望了这些高k栅介质材料的应用前景.
关键词:
高k栅介质
,
性能
,
界面
,
硅技术
