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检索条件：关键词=硅晶化
邓荣斌 , 王茺 , 陈寒娴 , 杨宇
人工晶体学报
利用射频磁控溅射技术,在生长了Ta缓冲层的石英玻璃衬底上采用不同溅射功率下制备了一系列的硅薄膜样品,用拉曼光谱和X射线衍射表征了薄膜的结晶性随溅射功率的变化情况.实验结果表明:随着溅射功率的增加,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶粒沿Si(311)面呈柱状生长,功率升高到80 W时薄膜的晶化率达到75.4...
关键词: 硅晶化 , 溅射功率 , Ta缓冲层 , 晶化率
