李艳花
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傅毛生
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危亮华
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周雪珍
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周新木
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李永绣
中国稀土学报
以硝酸铈为原料,十二烷基苯磺酸钠为分散剂,过氧化氢为氧化剂,氨水为沉淀剂,采用直接沉淀法制备了粒径分布均匀的纳米氧化铈粉体,并通过XRD,TEM等手段对粉体进行了表征.采用所制备的氧化铈粉体配置成抛光浆料对硅片进行抛光,研究了浆料pH值、固含量及过氧化氢浓度对n型半导体硅晶片(111)晶面抛光性能的影响.确定了最佳的抛光条件为:pH值10.5,含固量为0.5%,过氧化氢体积分数为1.5%.此时的抛光速率为61.1 nm·min-1,所抛光的硅晶片的表面粗糙度为0.148nm.
关键词:
纳米CeO2粉体
,
化学机械抛光
,
材料去除速率
,
硅晶片
,
稀土
刘腾云
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葛培琪
,
高玉飞
人工晶体学报
随着硅晶片薄型化发展,减少硅晶片厚度已成为降低芯片制造成本的重要措施.但在硅晶片制造加工过程中,许多因素制约了其减薄.针对硅晶片减薄问题,总结分析了制约硅晶片减薄因素,重点阐述了硅晶片厚度与硅晶片的断裂强度、刚度、翘曲度、固有频率的关系,分析了减小硅晶片厚度对硅晶片加工、检测和运输的影响,并对硅晶片厚度标准化问题进行了讨论,最后得到了制约硅晶片减薄的关键因素.
关键词:
硅晶片
,
晶片厚度
,
断裂强度
,
刚度
