刘勇
,
曹勇
,
董刚强
,
郭宇坤
,
刘丰珍
人工晶体学报
采用铝诱导表面织构方法在玻璃衬底上制备了蜂窝状的凹坑结构;使用热丝化学气相沉积技术在该类衬底上制备了硅薄膜.扫描探针显微镜(SPM)图像表明,通过改变刻蚀时间、刻蚀溶液比例、Al膜厚度和退火时间等制备条件,可以有效控制玻璃表面凹坑结构的尺寸,使其在直径上从0.5μm到6μm,深度上从60 nm到700 nm可调.光吸收谱测试表明此类衬底对硅薄膜的光吸收有着明显的增强效果,以凹坑平均直径为2.3 μm,深度为358nm的铝诱导表面织构玻璃为衬底所制备的厚度为150 nm的硅薄膜,在350～1200 nm波长范围内的光吸收与使用平面玻璃为衬底的样品相比可提高28.5％.凹坑的尺寸大小对光吸收增强效果有重要影响.
关键词:
铝诱导织构
,
热丝化学气相沉积
,
硅薄膜
,
陷光结构
,
玻璃衬底
董征
,
刘青
,
苏革
,
柳伟
,
曹立新
,
王景
,
贾波
,
赵莉丽
,
宋美芹
,
刘晓云
功能材料
采用恒电位诱导组装法,在40℃、2.5V恒电位条件下,在FTO导电玻璃上制备硅薄膜,并分别通过循环伏安曲线(CV)、红外光谱仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪对硅薄膜的生长条件、结构、形貌和光学性能进行了系统研究.结果表明,只有当溶液中用于模板剂的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的浓度高于其临界胶束浓度并且在一定的正硅酸四乙酯(TEOS)浓度时,才可以得到岛粒状的硅薄膜.由荧光光谱可知,组装成的硅薄膜经过焙烧,可生成氧缺位的SiO2薄膜,其中x≤2.由于氧缺位,在3.8eV光的激发下有2.5eV的光致发光.
关键词:
恒电位诱导组装法
,
硅薄膜
,
光学性能
,
SiOx
邹幽兰
,
杨娟
,
周向阳
,
唐晶晶
,
王松灿
,
谢静
材料导报
硅因其具有极高的理论容量而成为现阶段锂离子电池用负极材料研究的热点.介绍了硅基负极材料嵌/脱锂的原理,总结了目前缓解硅开裂与粉碎的一般方法,分析了现行研究中的不足.聚吡咯具有高导电性、高弹性、多孔、高稳定性等优点,为了提高负极材料循环稳定性能,将其与硅结舍得到的Si-PPy复合材料将是最有希望的发展方向.
关键词:
锂离子电池
,
纳米硅
,
硅薄膜
,
核壳结构
,
网络结构
张俊丽
,
傅杰财
,
郭小松
,
刘滨
,
谢二庆
材料导报
采用热丝化学气相沉积法在玻璃衬底上沉积硅薄膜,采用扫描电子显微镜、拉曼光谱分析表征样品的形貌和结晶性,较为系统地研究了硅烷浓度、衬底到热丝的距离对硅薄膜生长过程及各种性质的影响,结果表明,较高的衬底温度及较低的硅烷浓度有利于薄膜的结晶.
关键词:
热丝化学气相沉积
,
硅薄膜
,
硅烷浓度
,
衬底与热丝距离
,
衬底温度
朱建强
,
刘涌
,
王靖
,
詹宝华
,
宋晨路
,
韩高荣
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.06.018
采用APCVD工艺用硅烷和乙烯为原料在620℃沉积硅薄膜.用AFM观察薄膜表面形貌,用SEM扫描截面测量薄膜厚度.FTIR光谱表明薄膜中存在Si-C.研究了C2H4/SiH4摩尔比对膜厚的影响,随着C2H4/SiH4的增大,薄膜的沉积速率降低,表明乙烯掺杂会抑制薄膜生长,同时乙烯的加入减弱了颗粒的异常长大.
关键词:
APCVD
,
硅薄膜
,
乙烯掺杂
,
AFM
,
FTIR
赵彦辉
,
肖金泉
,
黄荣芳
,
闻火
,
闻立时
功能材料
硅薄膜作为制备硅薄膜太阳电池的重要材料,得到了广泛研究和应用,而硅薄膜中的各种缺陷及缺陷密度则对薄膜电池的转换效率和稳定性有着至关重要的影响.对硅薄膜中的缺陷种类、缺陷研究方法以及缺陷对薄膜性能的影响进行总结,期望对提高和改善硅薄膜质量乃至硅薄膜太阳电池转换效率和稳定性提供一定的指导.
关键词:
硅薄膜
,
缺陷
,
缺陷研究方法
,
转换效率
张兴丽
,
孙兆伟
材料导报
采用非平衡分子动力学(NEME)方法及Tersoff势能函数模拟了微尺度下空位结构缺陷对单晶硅薄膜热导率的影响.结果表明,硅薄膜的热导率随空位浓度的增加而明显减小.当温度为300～700K时,随着温度的升高,空位浓度对热导率的影响以及同一空位浓度下温度对热导率的影响都逐渐减弱.
关键词:
空位
,
硅薄膜
,
分子动力学
,
热导率
刘成
,
周丽华
,
叶晓军
,
钱子勍
,
陈鸣波
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.006
在不锈钢柔性衬底上采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了不同结构的n型硅薄膜,测试了在其上生长的微晶硅太阳电池的电学输出特性.发现太阳电池的开路电压随n型层的硅烷浓度线形变化,短路电流密度则存在一个最优值,这与n型层引起的本征层中的孵化层和结构演变有关.将优化后的n型层应用于不锈钢柔性衬底的非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,获得了9.28%(AM0,1353W/m2)和11.26%(AM1.5,1000W/m2)的光电转换效率.
关键词:
柔性衬底
,
硅薄膜
,
微晶硅太阳电池
,
非晶硅/微晶硅叠层太阳电池
郭宇坤
,
周玉荣
,
陈瑱怡
,
马宁
,
刘丰珍
人工晶体学报
采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术在低温条件下(100℃)制备超薄(～30 nm)的硼掺杂硅薄膜.系统研究了氢稀释比例RH对薄膜的微结构和电学性能的影响.当RH由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,暗电导率增加;同时,薄膜的缺陷密度增加、霍尔迁移率降低.实验证实,当RH=55～70时,超薄硅薄膜开始晶化,这是薄膜由非晶到纳米晶的转化区.快速热退火工艺进一步提高了薄膜导电率.在RH=115、衬底温度为100℃沉积条件下,经过420℃、80 s退火,获得电导率为6.88 S/cm的超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜.
关键词:
热丝化学气相沉积
,
硅薄膜
,
硼掺杂
,
电学性能
