任国浩
,
王绍华
,
李焕英
,
陆晟
无机材料学报
用Czochralsky方法和铱坩埚感应加热技术生长出了尺寸为φ35mm×40mm的掺铈硅酸镥(LSO:Ce)闪烁晶体.透射光谱表明,由于铈离子的掺入,使晶体的吸收边由纯LSO晶体的195nm红移至380nm.LSO:Ce晶体的紫外激发波长按强度递减的顺序依次为380、333、319和216nm,其光发射为带状谱,波长覆盖范围从390nm至560nm.X射线激发的发射谱具有典型的双峰特征,峰值波长为393nm和.426nm.这些特征与Ce3+离子基态能级4f1因自旋-轨道耦合而产生的两个分裂能级和Ce+离子在LSO晶体中占据两个不同的结晶学格位有关.
关键词:
硅酸镥
,
crystal growth
,
emission
,
excitation
秦来顺
,
陆晟
,
李焕英
,
史宏声
,
任国浩
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.027
本文采用提拉法生长出了硅酸镥闪烁晶体,讨论了晶体生长中遇到的问题,所生长的硅酸镥晶体有开裂、解理、多晶、回熔现象等宏观生长缺陷和包裹物、位错等微观缺陷.开裂是由热应力和晶体解理两种因素引起的,其中热应力是导致开裂的主要因素,优化生长工艺条件可完全避免开裂.晶体中存在两种包裹物,成份分别为氧化镥和坩埚材料铱,氧化镥很可能是未参加反应的原料,也有可能是氧化硅挥发而导致氧化镥析出.
关键词:
硅酸镥
,
闪烁晶体
,
晶体生长
,
缺陷
任国浩
,
王绍华
,
李焕英
,
陆晟
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.02.003
用Czochralsky方法和铱坩埚感应加热技术生长出了尺寸为φ35mm×40mm的掺铈硅酸镥(LSO:Ce)闪烁晶体.透射光谱表明,由于铈离子的掺入,使晶体的吸收边由纯LSO晶体的195nm红移至380nm.LSO:Ce晶体的紫外激发波长按强度递减的顺序依次为380、333、319和216nm,其光发射为带状谱,波长覆盖范围从390nm至560nm.X射线激发的发射谱具有典型的双峰特征,峰值波长为393nm和426nm.这些特征与Ce3+离子基态能级4f1因自旋-轨道耦合而产生的两个分裂能级和Ce3+离子在LSO晶体中占据两个不同的结晶学格位有关.
关键词:
硅酸镥
,
光透射
,
激发
,
发射
林挺
,
许志斌
,
邓莲芸
,
任玉英
,
施鹰
,
谢建军
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01210
以亚微米级单相铈离子掺杂硅酸镥(Ce:Lu2SiO5,LSO)发光粉体为原料,采用放电等离子烧结(Spark Plasma Sintering)技术对多晶LSO闪烁陶瓷的制各方法进行了探索,同时对其发光性能进行了研究.在(1350℃/Smin)的条件下实现了LSO粉体的快速致密化烧结,研制出了具有良好发光性能的半透明多晶LSO闪烁陶瓷,其相对密度达到理论密度的99.5％.在360nm紫外激发条件下,呈现位于380～600nm的宽峰发射行为.其相对发光强度达到LSO闪烁单晶的75％,发光衰减时间仅为9.67ns.该材料有望成为一种新型的高光输出、快衰减多晶闪烁材料.
关键词:
闪烁陶瓷
,
硅酸镥
,
放电等离子烧结:发光性能
