刘长友
,
介万奇
材料导报
以ZnSe多晶料的预处理为例,阐述了Ⅱ-Ⅵ族高熔点化合物的预处理方法与原理.生长单晶体,不仅仅要求原料有足够高的纯度,更为重要的是需要通过原料的预处理,获得具有合适化学比的高纯多晶原料.结合ZnSe材料的升华特性和杂质分布,对区域升华法处理工艺参数进行了分析,确定了源区温度应略低于1100℃,而沉积...
关键词:
硒化锌
,
多晶
,
提纯
,
非化学计量比
刘凌云
,
谢瑞士
,
陈强
,
肖定全
,
朱建国
功能材料
采用液-固-溶液(LSS)法制备了ZnSe:Fe纳米晶,利用X射线粉末衍射(XRD)技术、透射电子显微镜(TEM)、光致发光(PL)谱、紫外-可见吸收(UV-vis)光谱以及傅里叶变换红外(FT-IR)光谱对所制备样品的结构和光学性质进行了表征,研究了掺杂Fe离子对ZnSe纳米晶光学性质的影响规律....
关键词:
液-固-溶液(LSS)法
,
硒化锌
,
纳米晶
,
光学性能
杜芳林
,
王红妮
功能材料
利用溶剂热法,通过添加不同种类的溶剂及改变反应温度、反应时间,成功合成了具有片状、棒状、球状、圆锥花序状等不同形貌的纳米/微米级硒化镉、硒化锌半导体材料.简单讨论了表面活性剂、反应温度及反应时间对产物形貌及尺寸的影响.所得产物进行了扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能谱(EDS)、...
关键词:
溶剂热
,
合成
,
硒化镉
,
硒化锌
,
表征
刘长友
,
介万奇
,
何克
功能材料
采用区域升华法对由两单质直接合成的ZnSe多晶原料进行了处理.电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)分析结果表明,区域升华法对高纯原料中杂质的去除率仅为10%左右.X射线衍射(XRD)和能谱分析(EDS)结果表明提纯后原料的化学比得到了有效调节,其多晶化学比与单晶的化学比非常接近,适于单晶生长使用....
关键词:
硒化锌
,
多晶
,
提纯
,
非化学计量比
余文涛
,
李焕勇
,
介万奇
,
刘正堂
人工晶体学报
本文采用开放体系对两单质加反应促进剂I2合成的ZnSe多晶原料进行了提纯.以高纯氩气为保护气体,提纯温度分别为500 ℃、550 ℃和800 ℃.能谱分析(EDS)和热重图谱(TG)结果表明:800 ℃处理后的ZnSe多晶原料,其化学计量比与理想化学计量比非常接近,而且升华开始温度提高到了850 ℃...
关键词:
Ⅱ-Ⅵ族化合物
,
硒化锌
,
化学计量比
,
开放体系
王向阳
,
方珍意
,
蔡以超
,
张力强
,
肖红涛
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.025
采用单质Se为原料(Zn-Se-H2-Ar体系)来生长CVD ZnSe,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长ZnSe的影响.这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和Se坩埚的温度,各路载流气体的流量.对这些工艺参数进行调整和精确控制,并控制好Zn蒸气和Se蒸气气嘴处的ZnS...
关键词:
化学气相沉积
,
硒化锌
,
工艺分析
