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电光晶体硒酸氢铷过饱和溶液的成核研究

陈建中 , 郭飞云 , 庄乃锋 , 林树坤

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.016

本文对硒酸氢铷(RbHSeO4,RHSe)晶体生长过饱和溶液的均匀成核过程进行了初步的研究.通过动态目视法测量RHSe过饱和溶液的诱导期,讨论过饱和比、温度对诱导期的影响,并根据经典均匀成核理论计算不同温度下的晶体表面张力、成核自由能和临界成核半径,为探讨RHSe单晶的水溶液生长的较佳条件提供依据.

关键词: 硒酸氢铷 , 均匀成核 , 诱导期 , 溶液生长法

电光晶体硒酸氢铷(RHSe)的生长动力学

胡晓琳 , 陈建中 , 庄乃锋 , 兰建明 , 赵斌

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.04.007

本文采用动态循环观察法测量了RHSe晶体在水溶液中不同过饱和度下主要显露晶面的生长速率.结果表明,RHSe晶体主要显露晶面的生长机制是多二维成核生长机制,在饱和点为38.00℃的溶液中,RHSe晶体的{111}和{101}晶面的临界过饱和度分别为1.01%和1.16%.实验过程中还发现,当过饱和度大于1.76%时,晶体生长速率太快而出现宏观缺陷,因而在生长RHSe单晶时,过饱和度应控制在1.76%以下.

关键词: 电光晶体 , 生长动力学 , 硒酸氢铷 , 多二维成核生长

溶液降温法生长硒酸氢铷(RHSe)晶体

庄乃锋 , 陈建中 , 高绍康 , 胡晓琳 , 赵斌 , 兰建明

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.04.002

本文测定了硒酸氢铷(RHSe)在水中的溶解度～温度曲线,并采用溶液降温法,克服了RHSe晶体生长时易漂晶、爬晶等不利因素,生长出大尺寸硒酸氢铷(RHSe)单晶.对晶体生长条件、生长形态以及晶体的宏观缺陷作了初步的探讨.

关键词: 硒酸氢铷 , 电光晶体 , 溶液降温法 , 晶体生长 , 生长形态

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