曹中明
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杨元政
,
许佳雄
,
谢致薇
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2016.09.010
采用固态硫化法硫化铜锡锌(CZT)预制膜制备铜锌锡硫(Cu2 ZnSnS4,CZTS)薄膜,研究硫化时间对CZTS薄膜性能的影响.利用X射线衍射仪(XRD)和紫外拉曼光谱仪(Raman)分析薄膜的物相结构,通过X射线能谱仪(EDS)分析薄膜的化学组分,采用扫描电镜(SEM)观察薄膜的表面形貌,利用UV-Vis研究薄膜的光学特性.结果表明:随着硫化时间延长,Cu含量增加,Zn含量明显减少.硫化40min以上制备的薄膜出现导致禁带宽度减小的杂相SnS,Sn2S3和Cu2 SnS3.当硫化时间为20min时,样品为单相的CZTS薄膜,薄膜表面均匀平整,化学组分贫Cu富Sn,吸收系数达104 cm-1,禁带宽度Eg约为1.56eV.
关键词:
磁控溅射
,
铜锌锡硫薄膜
,
固态硫化
,
硫化时间
王利刚
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王延来
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姚伟
,
朱俊
,
徐金刚
稀有金属
磁控溅射制备Cu-In合金薄膜,随后通过固态源硫化制备了CuInS2.采用XRD、SEM、紫外可见光分光光度计和霍尔效应测试仪分析了薄膜的特性.结果表明:硫化时间为10 min至30 min时,不同的硫化时间硫化后薄膜的成分几乎保持不变,薄膜的结晶程度随时间的增加变好,电阻率随硫化时间的增加而提高,薄膜的光学带隙位于1.42～1.55 eV之间.
关键词:
CuInS2薄膜
,
硫化时间
,
光电特性
