郭余英
,
史伟民
,
魏光普
,
邱永华
,
夏义本
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.026
硫化锡(SnS)具有很高的光吸收系数和合适的禁带宽度,又无毒性,因此在太阳电池等光电器件中具有潜在应用价值.本文用真空蒸发法制备掺杂的SnS薄膜,掺杂源有Sb、Sb2O3、Se、Te、In、In2O3、Se和In2O3的混合物.对各种掺杂SnS薄膜的厚度、电流-电压(I-V)特性等进行了表征,并计算了其电阻率和光电导与暗电导的比值(Gphoto/Gdark).结果表明较有效的掺杂源是Sb,Sb掺杂的薄膜电阻率比纯薄膜的电阻率降低四个数量级,Gphoto/Gdark增加约一倍.同时,研究了Sb掺杂量对SnS薄膜电学性能的影响,表明Sb的最佳掺入量约为1.3wt%～1.5wt%.
关键词:
硫化锡
,
太阳电池
,
掺杂
,
真空蒸发
,
电阻率
邱永华
,
史伟民
,
魏光谱
,
雷平水
,
葛艳辉
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.037
由于硫化锡具有与硅相近的禁带宽度,安全环保,吸收系数也很高,因此非常适合做太阳能电池的吸收层,近年来已成为国内外专家的研究热点.本文围绕硫化锡薄膜材料的生长制备、性质表征以及基于硫化锡的薄膜太阳能电池的研究进展进行了较为详细的阐述,并对硫化锡太阳能电池的研究前景进行了探讨.
关键词:
硫化锡
,
薄膜
,
制备方法
,
太阳电池
